Semicera is a high-tech enterprise engaged in material research for many years, with a leading R&D team and integrated R&D and manufacturing. Provide customized Silicon Carbide Coated Epitaxial Reactor Barrelto discuss with our technical experts how to get the best performance and market advantage for your products.
Warum ist Siliziumkarbidbeschichtung?
In the semiconductor field, the stability of each component is very important for the whole process. However, in a high-temperature environment, graphite is easily oxidized and lost, and SiC coating can provide stable protection for graphite parts. In the Semizelle team, we have our own graphite purification processing equipment, which can control the purity of graphite below 5ppm. The purity of the silicon carbide coating is below 0.5 ppm.
Unser Vorteil, warum Semizera wählen?
✓Top-quality in China market
✓Good service always for you, 7*24 hours
✓Short date of delivery
✓Small MOQ welcome and accepted
✓Custom services
Anwendung
Epitaxie -Wachstumssuszeptor
Silizium/Silizium -Carbid -Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/sic -Epitaxie, bei der Silizium/sic -Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Zu den besonderen Vorteilen der Silizium-Carbid-Graphit-Basis von Semicera gehören eine extrem hohe Reinheit, einheitliche Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch hohe chemische Resistenz und thermische Stabilität.
LED -Chipproduktion
Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD -Reaktors bewegt sich die Planetenbasis oder der Träger den Substratwafer. Die Leistung des Grundmaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die Silizium-Carbid-Basis von Semicera erhöht die Herstellungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Wir liefern auch zusätzliche Graphitkomponenten für alle derzeit verwendeten MOCVD -Reaktoren. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten. Auch wenn der Komponentendurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir immer noch mit Siliziumkarbid befehlen.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert das Oxidationserweiterungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir für die Mehrheit der Silizium -Carbid -Teile kundenspezifische und CVD -Beschichtungsdienste an.
Das folgende Bild zeigt die rau verarbeitete Siliziumkarbidaufschlämmung von Semicea und das in den 100 gereinigte Silizium-Carbid-Ofenrohr0-Ebene staubfrei Zimmer. Unsere Arbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99% erreichen, und die Reinheit der sic -Beschichtung ist größer als 99,99995%.
Daten von CVD SIC Performace von Semi-CERA.