Solid CVD SiC Rings are mainly composed of silicon carbide (SiC), and have excellent physical and chemical properties. Silicon carbide is a ceramic material with a high melting point, high hardness and excellent corrosion resistance. It exhibits excellent thermal conductivity, chemical stability and mechanical strength at high temperatures, and has excellent wear and abrasion resistance.
Solid CVD SiC rings are widely used in industrial and scientific fields in high temperature, corrosive and abrasive environments. It plays an important role in multiple application areas, including:
1. Semiconductor manufacturing: Solid CVD SiC rings can be used for heating and cooling of semiconductor equipment, providing stable temperature control to ensure the accuracy and consistency of the process.
2. Optoelectronics: Due to its excellent thermal conductivity and high temperature resistance, Solid CVD SiC rings can be used as support and heat dissipation materials for lasers, fiber optic communication equipment and optical components.
3. Precision machinery: Solid CVD SiC rings can be used for precision instruments and equipment in high temperature and corrosive environments, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors.
4. Chemical industry: Solid CVD SiC rings can be used in containers, pipes and reactors in chemical reactions and catalytic processes due to their corrosion resistance and chemical stability.
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Epitaxie -Wachstumssuszeptor
Silizium/Silizium -Carbid -Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/sic -Epitaxie, bei der Silizium/sic -Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Zu den besonderen Vorteilen der Silizium-Carbid-Graphit-Basis von Semicera gehören eine extrem hohe Reinheit, einheitliche Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch hohe chemische Resistenz und thermische Stabilität.
LED -Chipproduktion
Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD -Reaktors bewegt sich die Planetenbasis oder der Träger den Substratwafer. Die Leistung des Grundmaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die Silizium-Carbid-Basis von Semicera erhöht die Herstellungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Wir liefern auch zusätzliche Graphitkomponenten für alle derzeit verwendeten MOCVD -Reaktoren. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten. Auch wenn der Komponentendurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir immer noch mit Siliziumkarbid befehlen.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert das Oxidationserweiterungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir für die Mehrheit der Silizium -Carbid -Teile kundenspezifische und CVD -Beschichtungsdienste an.
Das folgende Bild zeigt die rau verarbeitete Siliziumkarbidaufschlämmung von Semicea und das in den 100 gereinigte Silizium-Carbid-Ofenrohr0-Ebene staubfrei Zimmer. Unsere Arbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99% erreichen, und die Reinheit der sic -Beschichtung ist größer als 99,99995%.
