The TaC Coated Epi Wafer Carrier by Semicera is engineered for superior performance in epitaxial processes. Its tantalum carbide coating offers exceptional durability and high-temperature stability, ensuring optimal wafer support and enhanced production efficiency. Semicera’s precision manufacturing guarantees consistent quality and reliability in semiconductor applications.
TaC coated epitaxial wafer carriers are usually used in the preparation of high-performance optoelectronic devices, power devices, sensors and other fields. This epitaxial wafer carrier refers to the deposition of TaC thin film on the substrate during the crystal growth process to form a wafer with specific structure and performance for subsequent device preparation.
Chemical vapor deposition (CVD) technology is usually used to prepare TaC coated epitaxial wafer carriers. By reacting metal organic precursors and carbon source gases at high temperature, a TaC film can be deposited on the surface of the crystal substrate. This film can have excellent electrical, optical and mechanical properties and is suitable for the preparation of various high-performance devices.
Semicera bietet spezielle Tantal -Carbid -Beschichtungen (TAC) für verschiedene Komponenten und Träger. Das führende Beschichtungsprozess von Semizera ermöglicht Tantal -Carbid (TAC) -Hellbeschichtungen, um eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erzielen, die Produktqualität von SIC/GaN -Kristallen und EPI -Schichten zu verbessern (SchichtenGraphitbeschichtete TAC -Suszeptor) und die Lebensdauer von Schlüsselreaktorkomponenten verlängern. Die Verwendung von Tantal -Carbid -TAC -Beschichtung besteht darin, das Edgeproblem zu lösen und die Qualität des Kristallwachstums zu verbessern. Semizera hat den Durchbruch die Tantal -Carbidbeschichtungstechnologie (CVD) durch einen Durchbruch und erreicht das internationale Fortgeschrittenen.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Simicera’ parts for single crystal growth.
Außerdem, Semicera TAC-beschichtete Produkte zeigen eine längere Lebensdauer und einen größeren Widerstand mit hohem Temperatur im Vergleich zu SiC -Beschichtungen. Labormessungen haben gezeigt, dass unsere TAC -Beschichtungen kann bei Temperaturen von bis zu 2300 Grad Celsius für längere Perioden konsequent funktionieren. Im Folgenden finden Sie einige Beispiele für unsere Proben:
