The TaC Coated MOCVD Graphite Susceptor by Semicera is designed for high durability and exceptional high-temperature resistance, making it perfect for MOCVD epitaxy applications. This susceptor enhances efficiency and quality in Deep UV LED production. Manufactured with precision, Semicera ensures top-notch performance and reliability in every product.
TAC -Beschichtung is an important material coating, which is usually prepared on a graphite base by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technology. This coating has excellent properties, such as high hardness, excellent wear resistance, high temperature resistance and chemical stability, and is suitable for various high-demand engineering applications.
MOCVD technology is a commonly used thin film growth technology that deposits the desired compound film on the substrate surface by reacting metal organic precursors with reactive gases at high temperatures. When preparing TAC -Beschichtung, selecting appropriate metal organic precursors and carbon sources, controlling reaction conditions and deposition parameters, a uniform and dense TaC film can be deposited on a graphite base.
Semicera bietet spezielle Tantal -Carbid -Beschichtungen (TAC) für verschiedene Komponenten und Träger. Das führende Beschichtungsprozess von Semizera ermöglicht Tantal -Carbid (TAC) -Hellbeschichtungen, um eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erzielen, die Produktqualität von SIC/GaN -Kristallen und EPI -Schichten zu verbessern (SchichtenGraphitbeschichtete TAC -Suszeptor) und die Lebensdauer von Schlüsselreaktorkomponenten verlängern. Die Verwendung von Tantal -Carbid -TAC -Beschichtung besteht darin, das Edgeproblem zu lösen und die Qualität des Kristallwachstums zu verbessern. Semizera hat den Durchbruch die Tantal -Carbidbeschichtungstechnologie (CVD) durch einen Durchbruch und erreicht das internationale Fortgeschrittenen.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Simicera’ parts for single crystal growth.
Außerdem, Semicera TAC-beschichtete Produkte zeigen eine längere Lebensdauer und einen größeren Widerstand mit hohem Temperatur im Vergleich zu SiC -Beschichtungen. Labormessungen haben gezeigt, dass unsere TAC -Beschichtungen kann bei Temperaturen von bis zu 2300 Grad Celsius für längere Perioden konsequent funktionieren. Im Folgenden finden Sie einige Beispiele für unsere Proben:
