Graphite is an excellent high-temperature material, but it oxidizes easily at high temperatures. Even in vacuum furnaces with inert gas, it can still undergo slow oxidation. Using a CVD tantalum carbide (TaC) coating can effectively protect the graphite substrate, providing the same high-temperature resistance as graphite. TaC is also an inert material, meaning it will not react with gases such as argon or hydrogen at high temperatures.InquiryTaC three-section ringnow!
Semicera bietet spezielle Tantal -Carbid -Beschichtungen (TAC) für verschiedene Komponenten und Träger. Das führende Beschichtungsprozess von Semizera ermöglicht Tantal -Carbid (TAC) -Hellbeschichtungen, um eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erzielen, die Produktqualität von SIC/GaN -Kristallen und EPI -Schichten zu verbessern (SchichtenGraphitbeschichtete TAC -Suszeptor) und die Lebensdauer von Schlüsselreaktorkomponenten verlängern. Die Verwendung von Tantal -Carbid -TAC -Beschichtung besteht darin, das Edgeproblem zu lösen und die Qualität des Kristallwachstums zu verbessern. Semizera hat den Durchbruch die Tantal -Carbidbeschichtungstechnologie (CVD) durch einen Durchbruch und erreicht das internationale Fortgeschrittenen.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Simicera’ parts for single crystal growth.
Außerdem, Semicera TAC-beschichtete Produkte zeigen eine längere Lebensdauer und einen größeren Widerstand mit hohem Temperatur im Vergleich zu SiC -Beschichtungen. Labormessungen haben gezeigt, dass unsere TAC -Beschichtungen kann bei Temperaturen von bis zu 2300 Grad Celsius für längere Perioden konsequent funktionieren. Im Folgenden finden Sie einige Beispiele für unsere Proben:
