Focus CVD is a special chemical vapor deposition method that uses specific reaction conditions and control parameters to achieve localized focus control of material deposition. In the preparation of focus CVD SiC rings, the focus area refers to the specific part of the ring structure that will receive the main deposition to form the specific shape and size required.
Focus CVD SiC Ring is a silicon carbide (SiC) ring material prepared by Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD) technology.
Focus CVD SiC Ring has many excellent performance characteristics. First, it has high hardness, high melting point and excellent high temperature resistance, and can maintain stability and structural integrity under extreme temperature conditions. Secondly, Focus CVD SiC Ring has excellent chemical stability and corrosion resistance, and has high resistance to corrosive media such as acids and alkalis. In addition, it also has excellent thermal conductivity and mechanical strength, which is suitable for application requirements in high temperature, high pressure and corrosive environments.
Focus CVD SiC Ring is widely used in many fields. It is often used for thermal isolation and protection materials of high temperature equipment, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors. In addition, Focus CVD SiC Ring can also be used in optoelectronics, semiconductor manufacturing, precision machinery and aerospace, providing high-performance environmental tolerance and reliability.
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Epitaxie -Wachstumssuszeptor
Silizium/Silizium -Carbid -Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/sic -Epitaxie, bei der Silizium/sic -Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Zu den besonderen Vorteilen der Silizium-Carbid-Graphit-Basis von Semicera gehören eine extrem hohe Reinheit, einheitliche Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch hohe chemische Resistenz und thermische Stabilität.
LED -Chipproduktion
Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD -Reaktors bewegt sich die Planetenbasis oder der Träger den Substratwafer. Die Leistung des Grundmaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die Silizium-Carbid-Basis von Semicera erhöht die Herstellungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Wir liefern auch zusätzliche Graphitkomponenten für alle derzeit verwendeten MOCVD -Reaktoren. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten. Auch wenn der Komponentendurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir immer noch mit Siliziumkarbid befehlen.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert das Oxidationserweiterungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir für die Mehrheit der Silizium -Carbid -Teile kundenspezifische und CVD -Beschichtungsdienste an.
Das folgende Bild zeigt die rau verarbeitete Siliziumkarbidaufschlämmung von Semicea und das in den 100 gereinigte Silizium-Carbid-Ofenrohr0-Ebene staubfrei Zimmer. Unsere Arbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99% erreichen, und die Reinheit der sic -Beschichtung ist größer als 99,99995%.
