GaN Epitaxy Carrier Gas: Wie es Wachstum bildet
2024-12-17
GaN-Epitaxieträgergase wie Wasserstoff und Stickstoff-Form-Wachstumsraten, Oberflächenmorphologie und Defektdichte, entscheidend für die Optimierung der GaN-Filmqualität.
GaN-Epitaxieträgergase wie Wasserstoff und Stickstoff-Form-Wachstumsraten, Oberflächenmorphologie und Defektdichte, entscheidend für die Optimierung der GaN-Filmqualität.
Semicera Semiconductor Technology Co. Ltd. mit Sitz in Ningbo, Provinz Zhejiang, China, wurde im Januar 2018 gegründet.
Semicera Semiconductor integriert F&E und Produktion mit zwei Forschungszentren und drei Produktionsstätten, die 50 Produktionslinien und über 200 Mitarbeiter unterstützen.
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