Semicera ofrece una gama integral de susceptores y componentes de grafito diseñados para varios reactores epitaxy. A través de asociaciones estratégicas con OEM líderes en la industria, experiencia extensa de materiales y capacidades de fabricación avanzadas, Semicera ofrece diseños personalizados para cumplir con los requisitos específicos de su aplicación. Nuestro compromiso con la excelencia asegura que reciba soluciones óptimas para las necesidades de su reactor de epitaxia.
Nuestra empresa proporciona Recubrimiento sic Servicios de proceso en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales por método CVD, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio pueden reaccionar a alta temperatura para obtener moléculas SIC de alta pureza, que pueden depositarse en la superficie de los materiales recubiertos para formar un Capa protectora sic Para Epitaxy Barrel Type Hy Pnotic.
Características principales:
1. Alta pureza Grafito recubierto de SIC
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. Bien Sic Crystal recubierto Para una superficie lisa
4. Alta durabilidad contra la limpieza química
Especificaciones principales de Recubrimiento por cvd-sic
|
Propiedades de SIC-CVD |
||
| Estructura cristalina | Fase FCC β | |
| Densidad | g/cm ³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza de Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | mm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad de calor | J · KG-1 · K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza del felexural | MPA (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | GPA (4pt Bend, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mk) | 300 |
