Las soluciones de obleas de silicio (SOI) aumentan la velocidad del chip, el uso de energía de corte y mejoran la confiabilidad, alimentando la electrónica avanzada en 2025.
Los recubrimientos SIC en la resistencia a la oxidación del grafito, la estabilidad térmica y la durabilidad para aplicaciones industriales y semiconductores de alta temperatura.
La capa epitaxial de semiconductores aumenta la velocidad, la confiabilidad y la eficiencia del dispositivo, lo que permite arquitecturas avanzadas e innovaciones de semiconductores de próxima generación.
Las innovaciones en el recubrimiento SIC para materiales de grafito aumentan la durabilidad, la resistencia a la oxidación y la vida útil en entornos industriales de alta temperatura.
Los recubrimientos SIC sobre grafito utilizando resistencia a la oxidación de SIC Boost, durabilidad y estabilidad térmica para un rendimiento industrial confiable de alta temperatura.
Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd., con sede en Ningbo, provincia de Zhejiang, China, fue establecida en enero de 2018.
Semicera Semiconductor integrates R&D and production with dual research centers and three production bases, supporting 50 production lines and 200+ employees.
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