Oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas

La oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de Semicera ofrece una excelente conductividad térmica y una alta intensidad de campo eléctrico, lo que la convierte en una opción superior para dispositivos de energía y RF. Esta oblea, diseñada para satisfacer las demandas de la industria, ejemplifica el compromiso de Semicera con la calidad y la innovación en materiales semiconductores.

La oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de Semicera está a la vanguardia de la tecnología de semiconductores. Diseñada para un rendimiento óptimo, esta oblea destaca en aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura, esenciales para dispositivos electrónicos avanzados.

Nuestra oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas presenta una alta movilidad de electrones y una baja resistencia, que son parámetros críticos para dispositivos de potencia como MOSFET, diodos y otros componentes. Estas propiedades garantizan una conversión de energía eficiente y una generación de calor reducida, mejorando el rendimiento y la vida útil de los sistemas electrónicos.

Los rigurosos procesos de control de calidad de Semicera garantizan que cada oblea de SiC mantenga una superficie plana excelente y defectos mínimos. Esta meticulosa atención al detalle garantiza que nuestras obleas cumplan con los estrictos requisitos de industrias como la automotriz, aeroespacial y de telecomunicaciones.

Además de sus propiedades eléctricas superiores, la oblea de SiC tipo N ofrece una sólida estabilidad térmica y resistencia a altas temperaturas, lo que la hace ideal para entornos donde los materiales convencionales pueden fallar. Esta capacidad es particularmente valiosa en aplicaciones que involucran operaciones de alta frecuencia y alta potencia.

Al elegir la oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de Semicera, está invirtiendo en un producto que representa la cúspide de la innovación en semiconductores. Estamos comprometidos a proporcionar los componentes básicos para dispositivos de vanguardia, garantizando que nuestros socios en diversas industrias tengan acceso a los mejores materiales para sus avances tecnológicos.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0.15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

&lt;1 unidad/cm2

&lt;10 c/cm2

&lt;15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10atoms/cm2

N / A

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

N / A

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

N / A

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm)

N / A

Arañazos

≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

N / A

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

N / A

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro

N / A

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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