La oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de Semicera ofrece una excelente conductividad térmica y una alta intensidad de campo eléctrico, lo que la convierte en una opción superior para dispositivos de energía y RF. Esta oblea, diseñada para satisfacer las demandas de la industria, ejemplifica el compromiso de Semicera con la calidad y la innovación en materiales semiconductores.
La oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de Semicera está a la vanguardia de la tecnología de semiconductores. Diseñada para un rendimiento óptimo, esta oblea destaca en aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura, esenciales para dispositivos electrónicos avanzados.
Nuestra oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas presenta una alta movilidad de electrones y una baja resistencia, que son parámetros críticos para dispositivos de potencia como MOSFET, diodos y otros componentes. Estas propiedades garantizan una conversión de energía eficiente y una generación de calor reducida, mejorando el rendimiento y la vida útil de los sistemas electrónicos.
Los rigurosos procesos de control de calidad de Semicera garantizan que cada oblea de SiC mantenga una superficie plana excelente y defectos mínimos. Esta meticulosa atención al detalle garantiza que nuestras obleas cumplan con los estrictos requisitos de industrias como la automotriz, aeroespacial y de telecomunicaciones.
Además de sus propiedades eléctricas superiores, la oblea de SiC tipo N ofrece una sólida estabilidad térmica y resistencia a altas temperaturas, lo que la hace ideal para entornos donde los materiales convencionales pueden fallar. Esta capacidad es particularmente valiosa en aplicaciones que involucran operaciones de alta frecuencia y alta potencia.
Al elegir la oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de Semicera, está invirtiendo en un producto que representa la cúspide de la innovación en semiconductores. Estamos comprometidos a proporcionar los componentes básicos para dispositivos de vanguardia, garantizando que nuestros socios en diversas industrias tengan acceso a los mejores materiales para sus avances tecnológicos.
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Elementos |
Producción |
Investigación |
Ficticio |
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Parámetros de cristal |
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politipo |
4H |
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Error de orientación de la superficie |
<11-20 >4±0.15° |
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Parámetros eléctricos |
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dopante |
Nitrógeno tipo n |
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Resistividad |
0.015-0.025ohm·cm |
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Parámetros mecánicos |
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Diámetro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Espesor |
350±25 micras |
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Orientación plana primaria |
[1-100]±5° |
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Longitud plana primaria |
47,5 ± 1,5 mm |
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piso secundario |
Ninguno |
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televisión |
≤5 micras |
≤10 micras |
≤15 micras |
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TVL |
≤3 micras(5mm*5mm) |
≤5 micras(5mm*5mm) |
≤10 micras(5mm*5mm) |
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Arco |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
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Urdimbre |
≤35 micras |
≤45 micras |
≤55 micras |
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Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Estructura |
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Densidad de microtubos |
<1 unidad/cm2 |
<10 c/cm2 |
<15 c/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / A |
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TLP |
≤1500 unidades/cm2 |
≤3000 unidades/cm2 |
N / A |
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TSD |
≤500 unidades/cm2 |
≤1000 unidades/cm2 |
N / A |
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Calidad frontal |
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Frente |
Si |
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Acabado superficial |
CMP de cara Si |
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Partículas |
≤60 unidades/oblea (tamaño≥0,3 μm) |
N / A |
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Arañazos |
≤5 unidades/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro |
Longitud acumulada≤2*Diámetro |
N / A |
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Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación |
Ninguno |
N / A |
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Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales |
Ninguno |
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Áreas politipo |
Ninguno |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcado láser frontal |
Ninguno |
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Calidad trasera |
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Acabado trasero |
CMP cara C |
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Arañazos |
≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*diámetro |
N / A |
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Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) |
Ninguno |
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Rugosidad de la espalda |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
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Marcado láser trasero |
1 mm (desde el borde superior) |
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Borde |
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Borde |
Chaflán |
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Embalaje |
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Embalaje |
Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples |
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*Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |
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