La paleta de carburo de silicio de alta pureza Semicera está diseñada para aplicaciones de semiconductores avanzadas y proporciona estabilidad térmica y resistencia mecánica superiores. Esta paleta de SiC garantiza un manejo preciso de las obleas, lo que la convierte en una opción ideal para entornos de alta temperatura. ¡Contáctenos para consultas!
La paleta de carburo de silicio de alta pureza de Semicera está meticulosamente diseñada para satisfacer las estrictas demandas de los procesos modernos de fabricación de semiconductores. Esta paleta voladiza de SiC destaca en entornos de alta temperatura y ofrece estabilidad térmica y durabilidad mecánica incomparables. La estructura SiC Cantilever está construida para soportar condiciones extremas, lo que garantiza un manejo confiable de las obleas en diversos procesos.
Una de las innovaciones clave de SiC Paddle es su diseño liviano pero robusto, que permite una fácil integración en los sistemas existentes. Su alta conductividad térmica ayuda a mantener la estabilidad de las obleas durante fases críticas como el grabado y la deposición, minimizando el riesgo de daño a las obleas y garantizando mayores rendimientos de producción. El uso de carburo de silicio de alta densidad en la construcción de la paleta mejora su resistencia al desgaste, proporcionando una vida operativa prolongada y reduciendo la necesidad de reemplazos frecuentes.
Semicera pone un fuerte énfasis en la innovación y ofrece una paleta voladiza de SiC que no solo cumple sino que supera los estándares de la industria. Esta paleta está optimizada para su uso en diversas aplicaciones de semiconductores, desde la deposición hasta el grabado, donde la precisión y la confiabilidad son cruciales. Al integrar esta tecnología de vanguardia, los fabricantes pueden esperar una mayor eficiencia, menores costos de mantenimiento y una calidad constante del producto.
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Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado |
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Propiedad |
Valor típico |
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Temperatura de trabajo (°C) |
1600°C (con oxígeno), 1700°C (ambiente reductor) |
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Contenido de SiC |
> 99.96% |
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Contenido gratuito de Si |
< 0.1% |
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densidad aparente |
2,60-2,70 g/cm 3 |
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Porosidad aparente |
< 16% |
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Fuerza de compresión |
> 600MPa |
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Resistencia a la flexión en frío |
80-90 MPa (20°C) |
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Resistencia a la flexión en caliente |
90-100MPa (1400°C) |
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Expansión térmica @1500°C |
4.70 10 -6 /°C |
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Conductividad térmica a 1200°C |
23 W/m·K |
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módulo elástico |
240 GPa |
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Resistencia al choque térmico |
Extremadamente bueno |