Gases de portadores epitaxy GaN como tasas de crecimiento de forma de hidrógeno y nitrógeno, morfología superficial y densidad de defecto, cruciales para optimizar la calidad de la película GaN.
Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd., con sede en Ningbo, provincia de Zhejiang, China, fue establecida en enero de 2018.
Semicera Semiconductor integrates R&D and production with dual research centers and three production bases, supporting 50 production lines and 200+ employees.
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