Susceptor recubierto de sic para profundos liderados por los rayos UV

Semicera Energy Technology Co., Ltd. es un proveedor líder de cerámica de semiconductores avanzados. Nuestros principales productos incluyen: discos grabados con carburo de silicio, remolques de botes de carburo de silicio, buques de obleas de carburo de silicio (PV y semiconductor), tubos de horno de carburo de silicio, paletas de voladizo de carburo de silicio, peluqueros de carburo de silicio, vigas de carburo de silicón, así como también revestimientos de cvd sic.

Los productos se utilizan principalmente en las industrias semiconductores y fotovoltaicas, como el crecimiento de cristales, epitaxia, grabado, envasado, recubrimiento y equipo de horno de difusión.

Susceptor recubierto de sic para profundos liderados por los rayos UV

Nuestra compañía proporciona servicios de procesos de recubrimiento SIC mediante el método de CVD en la superficie del grafito, la cerámica y otros materiales, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora SiC.

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Características principales

1. Resistencia a la oxidación de alta temperatura: la resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura es tan alta como 1600 C.
2. Alta pureza: hecha por deposición de vapor químico en una condición de cloración de alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácido, álcali, sal y reactivos orgánicos.

Especificaciones principales de recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SIC-CVD
Estructura cristalina	Fase FCC β
Densidad	g/cm ³	3.21
Dureza	Dureza de Vickers	2500
Tamaño de grano	μm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad de calor	J · KG-1 · K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza del felexural	MPA (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	GPA (4pt Bend, 1300℃)	430
Expansión térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mk)	300