Revestimiento de cerámica de carburo de silicio

As a professional Chinese manufacturer, supplier and exporter of Silicon Carbide Ceramic Coating. Semicera’s Silicon Carbide Ceramic Coating is widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment, especially in processing processes such as CVD and PECV. Semicera is committed to providing advanced technology and product solutions for the semiconductor industry, and welcomes your further consultation.

El recubrimiento de cerámica de carburo de silicio semicera es un recubrimiento protector de alto rendimiento hecho de material de carburo de silicio (SIC) extremadamente duro y resistente al desgaste. El recubrimiento generalmente se deposita en la superficie del sustrato mediante CVD o proceso de PVD con partículas de carburo de silicio, proporcionando una excelente resistencia a la corrosión química y una alta estabilidad de temperatura. Por lo tanto, el recubrimiento de cerámica de carburo de silicio se usa ampliamente en componentes clave de los equipos de fabricación de semiconductores.

En la fabricación de semiconductores, el recubrimiento SIC puede soportar temperaturas extremadamente altas de hasta 1600 ° C, por lo que el recubrimiento de cerámica de carburo de silicio a menudo se usa como una capa protectora para equipos o herramientas para evitar daños en ambientes de alta temperatura o corrosivos.

Al mismo tiempo, el recubrimiento cerámico de carburo de silicio puede resistir la erosión de ácidos, álcalis, óxidos y otros reactivos químicos, y tiene una alta resistencia a la corrosión a una variedad de sustancias químicas. Por lo tanto, este producto es adecuado para varios entornos corrosivos en la industria de semiconductores.

Además, en comparación con otros materiales cerámicos, SIC tiene una mayor conductividad térmica y puede realizar un calor efectivo. Esta característica determina que en los procesos de semiconductores que requieren un control de temperatura preciso, la alta conductividad térmica del recubrimiento de cerámica de carburo de silicio ayuda a dispersar uniformemente el calor, evitar el sobrecalentamiento local y garantizar que el dispositivo funcione a la temperatura óptima.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD
Propiedad	Valor típico
Crystal Structure	Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Density	3.21 g/cm³
Hardness	2500 Vickers Dureza （500 g de carga）
Tamaño de grano	2 ~ 10 μm
Chemical Purity	99.99995%
Heat Capacity	640 j · kg^-1·K^-1
Sublimation Temperature	2700℃
Resistencia a la flexión	415 MPA RT 4 puntos
Young’ s Modulus	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
Conductividad térmica	300W · m^-1·K^-1
Expansión térmica (CTE)	4.5×10^-6K^-1