Silicon sur la plaquette d'isolateur

La tranche de silicium sur l'isolant (SOI) de Semiera fournit une isolation électrique exceptionnelle et une gestion thermique pour les applications haute performance. Organisés pour offrir une efficacité et une fiabilité de dispositif supérieur, ces plaquettes sont un choix primordial pour la technologie avancée des semi-conducteurs. Choisissez Semicera pour des solutions SOI de pointe de pointe.

La tranche de silicium sur l'isolateur (SOI) de Semiera est à la pointe de l'innovation semi-conductrice, offrant une isolation électrique améliorée et des performances thermiques supérieures. La structure SOI, composée d'une fine couche de silicium sur un substrat isolant, offre des avantages critiques pour les dispositifs électroniques haute performance.

Nos plates-formes SOI sont conçues pour minimiser les courants parasitaires de capacité et de fuite, ce qui est essentiel pour développer des circuits intégrés à grande vitesse et à faible puissance. Cette technologie avancée garantit que les appareils fonctionnent plus efficacement, avec une vitesse améliorée et une consommation d'énergie réduite, cruciale pour l'électronique moderne.

Les processus de fabrication avancés employés par Semicera garantissent la production de plaquettes SOI avec une excellente uniformité et cohérence. Cette qualité est vitale pour les applications dans les télécommunications, l'automobile et l'électronique grand public, où des composants fiables et très performants sont nécessaires.

En plus de leurs avantages électriques, les plaquettes SOI de Semicera offrent une isolation thermique supérieure, améliorant la dissipation de la chaleur et la stabilité dans les dispositifs à haute densité et à haute puissance. Cette fonctionnalité est particulièrement précieuse dans les applications qui impliquent une génération de chaleur importante et nécessitent une gestion thermique efficace.

En choisissant le silicium de Semicera sur Isolateur, vous investissez dans un produit qui soutient l'avancement des technologies de pointe. Notre engagement envers la qualité et l'innovation garantit que nos plaquettes SOI répondent aux exigences rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs d'aujourd'hui, fournissant la base des appareils électroniques de nouvelle génération.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres de cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

4±0.15°

Paramètres électriques

Dopant

azote de type N

Résistivité

0,015-0.025ohm · cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 µm

Orientation plate primaire

[1-100]±5°

Longueur plate primaire

47,5 ± 1,5 mm

Plat secondaire

Aucun

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Arc

-15 μm ~ 15μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Rugosité avant (si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Structure

Densité de micro-

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atoms/cm2

N / A

BPB

≤1500 ea / cm2

≤3000 ea / cm2

N / A

TSD

≤500 ea / cm2

≤1000 ea / cm2

N / A

Qualité avant

Devant

Si

Finition de surface

CMP SI-FACE

Particules

≤60ea / plaquette (taille 0,3 μm)

N / A

Rayures

≤5EA / MM. Longueur cumulative ≤ diamètre

Longueur cumulatif ≤2 * diamètre

N / A

PELLE / PEPES ORANGE / TAPPES / COMMENTS / CRESCHES / CONTAMINATION

Aucun

N / A

Coups de bord / retraits / fracture / plaques hexagonales

Aucun

Zones de polytype

Aucun

Zone cumulative≤20%

Zone cumulative ≤ 30%

Marquage laser avant

Aucun

Qualité du dos

Finition arrière

CMP C-FACE

Rayures

≤5ea / mm, longueur cumulative≤2 * diamètre

N / A

Défauts arrière (puces de bord / retraits)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marquage laser arrière

1 mm (du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Préparé en épi avec un emballage sous vide

Emballage de cassette multi-wafer

*Remarques: «NA» signifie qu'aucun élément de demande non mentionné ne peut se référer au semi-std.

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