Suscepteur de graphite de revêtement en SiC à haute température pour la croissance épitaxiale MOCVD

SemiceraS SiC Coating Graphite Wasceptor est une solution premium pour les procédés MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), conçus pour fournir une stabilité thermique exceptionnelle, la résistance à la corrosion et la longévité. Fabriqué à partir de carbure de silicium de haute pureté (SiC) et de graphite avancé, ce capteur assure une distribution de chaleur uniforme et des performances fiables dans des environnements extrêmes, permettant une croissance épitaxiale impeccable des matériaux semi-conducteurs tels que GaN, SiC et LED.

Applications de produits

  1. Semiconductor Manufacturing

    • Idéal pour le dépôt épitaxique de semi-conducteurs composés GaN, SiC et III-V.

    • Critique pour produire des LED haute performance, des appareils RF et de l'électronique de puissance.

  2. Recherche et développement

    • Confié par les laboratoires pour les études de matériaux avancés et le prototypage des semi-conducteurs de prochaine génération.

  3. MOCVD industriel Systèmes

    • Compatible avec les principaux équipements MOCVD pour la production de masse de composants optoélectroniques.


Principaux avantages

  1. Durabilité inégalée

    • Le revêtement SiC améliore la résistance aux chocs thermiques, à la corrosion chimique et à l'usure mécanique, prolongeant la durée de vie de 3x par rapport aux capteurs traditionnels de graphite.

  2. Homogénéité thermique supérieure

    • Conçu pour l'uniformité de température ±1.5% sur toute la surface du wafer, minimisant les défauts dans les couches déposées.

  3. Stabilité à haute température

    • Fonctionne parfaitement à des températures allant jusqu'à 1 800 °C, en maintenant l'intégrité structurale dans des environnements MOCVD difficiles.

  4. Rentabilité

    • Réduit les temps d'arrêt et les coûts de remplacement grâce à une durabilité prolongée et une performance constante.


Caractéristiques du produit

  1. Composition des matériaux premium

    • Combine le graphite isostatique à haute pureté avec un revêtement en SiC dense et exempt de défauts pour une résistance thermique et chimique optimale.

  2. Conceptions personnalisables

    • Disponible en géométries sur mesure (p. ex. crêpe, verticale, horizontale) pour s'adapter à diverses configurations de réacteurs.

  3. Precision Engineering

    • Le fini de surface ultra-smooth (<0,5 μm Ra) assure une contamination minimale des particules pendant le dépôt.

  4. Réponse thermique rapide

    • La conception à faible masse thermique accélère les cycles de chauffage et de refroidissement, ce qui augmente l'efficacité du processus.


Pourquoi choisir Semicera?

  • Expertise de l'industrie: Adossé à plus de 15 ans d'expérience dans les solutions céramiques avancées pour les applications semi-conducteurs.

  • Quality Assurance: Des essais rigoureux dans le cadre de protocoles certifiés ISO garantissent la cohérence des performances.

  • Soutien mondial: Équipe technique dédiée disponible pour des solutions personnalisées et une livraison rapide.

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