Il film di silicio di Semicera è un materiale ad alte prestazioni progettato per una varietà di applicazioni avanzate nelle industrie dei semiconduttori ed elettronica. Realizzato in silicio di alta qualità, questo film offre un'eccezionale uniformità, stabilità termica e proprietà elettriche, rendendolo una soluzione ideale per la deposizione a film sottile, MEMS (sistemi microelettro-meccanici) e fabbricazione di dispositivi a semiconduttore.
Il film di silicio di Semicera è un materiale di alta qualità e ingegnerizzato di precisione progettato per soddisfare i rigorosi requisiti del settore dei semiconduttori. Prodotta in silicio puro, questa soluzione a film sottile offre un'eccellente uniformità, alta purezza e proprietà elettriche e termiche eccezionali. È ideale per l'uso in varie applicazioni a semiconduttore, tra cui la produzione di wafer SI, substrato SIC, wafer SOI, substrato Sin e epi-wafer. Il film in silicio di Semicera garantisce prestazioni affidabili e coerenti, rendendolo un materiale essenziale per la microelettronica avanzata.
Qualità e prestazioni superiori per la produzione di semiconduttori
Il film di silicio di Semicera è noto per la sua eccezionale resistenza meccanica, l'elevata stabilità termica e bassi tassi di difetto, che sono tutti cruciali nella fabbricazione di semiconduttori ad alte prestazioni. Sia utilizzati nella produzione di dispositivi di ossido di gallio (GA2O3), wafer di Aln o epi-wafer, il film fornisce una solida base per la deposizione a film sottile e la crescita epitassiale. La sua compatibilità con altri substrati a semiconduttore come il substrato SIC e i wafer SOI garantisce un'integrazione senza soluzione di continuità nei processi di produzione esistenti, contribuendo a mantenere rese elevate e qualità costante del prodotto.
Applicazioni nel settore dei semiconduttori
Nell'industria dei semiconduttori, il film di silicio di Semicera viene utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, dalla produzione di Wafer SI e Wafer SOI a usi più specializzati come il substrato Sin e la creazione di Epi-Wafer. L'elevata purezza e la precisione di questo film lo rendono essenziale nella produzione di componenti avanzati utilizzati in tutto, dai microprocessori e nei circuiti integrati ai dispositivi optoelettronici.
Il film di silicio svolge un ruolo fondamentale nei processi di semiconduttore come la crescita epitassiale, il legame del wafer e la deposizione di film sottile. Le sue proprietà affidabili sono particolarmente preziose per le industrie che richiedono ambienti altamente controllati, come camere pulite nei FAB a semiconduttore. Inoltre, il film in silicio può essere integrato nei sistemi di cassette per una gestione e trasporto di wafer efficienti durante la produzione.
Affidabilità e coerenza a lungo termine
Uno dei principali vantaggi dell'utilizzo del film di silicio di Semicera è la sua affidabilità a lungo termine. Con la sua eccellente durata e una qualità costante, questo film offre una soluzione affidabile per ambienti di produzione ad alto volume. Sia che sia utilizzato in dispositivi a semiconduttore ad alta precisione o applicazioni elettroniche avanzate, il film in silicio di Semicera garantisce che i produttori possano ottenere alte prestazioni e affidabilità attraverso una vasta gamma di prodotti.
Perché scegliere il film di silicio di Semicera?
Il film di silicio di Semicera è un materiale essenziale per applicazioni all'avanguardia nel settore dei semiconduttori. Le sue proprietà ad alte prestazioni, tra cui un'eccellente stabilità termica, alta purezza e resistenza meccanica, lo rendono la scelta ideale per i produttori che desiderano ottenere i più alti standard nella produzione di semiconduttori. Dal wafer SI e sul substrato SIC alla produzione di dispositivi Gallio Ossido Ga2O3, questo film offre qualità e prestazioni senza pari.
Con il film in silicio di SemistE, puoi fidarti di un prodotto che soddisfa le esigenze della moderna produzione di semiconduttori, fornendo una base affidabile per la prossima generazione di elettronica.
Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
Parametri cristallini | |||
Politipo | 4H | ||
Errore di orientamento della superficie | 4±0.15° | ||
Parametri elettrici | |||
Drogante | azoto di tipo n | ||
Resistività | 0,015-0,025ohm · cm | ||
Parametri meccanici | |||
Diametro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Spessore | 350 ± 25 μm | ||
Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Piatto secondario | Nessuno | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5 mm*5 mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35 μm | -45μm ~ 45μm |
Ordito | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Front (Si-Face) Rughess (AFM) | RA≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità di micrivipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurità dei metalli | ≤5e10atoms/cm2 | N / A | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | N / A |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | N / A |
Qualità anteriore | |||
Davanti | Si | ||
Finitura superficiale | Si-Face CMP | ||
Particelle | ≤60ea/wafer (dimensione≥0,3μm) | N / A | |
Graffi | ≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diameter | Diametro cumulativo della lunghezza ≤2* | N / A |
Buccia/pozzi/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | N / A | |
Bordo chips/riendi/frattura/piastre esadecimale | Nessuno | ||
Aree politepi | Nessuno | Area cumulativa≤20% | Area cumulativa≤30% |
Marcatura laser anteriore | Nessuno | ||
Qualità alla schiena | |||
Finitura posteriore | C-FACE CMP | ||
Graffi | ≤5ea/mm, lunghezza cumulativa≤2*diametro | N / A | |
Difetti posteriori (bordo chip/rientri) | Nessuno | ||
Rugosità posteriore | RA≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
Bordo | |||
Bordo | Smussare | ||
Confezione | |||
Confezione | Prepasto EPI con imballaggio a vuoto
Packaging a cassette multi-wafer |
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*Note : “NA” significa che nessuna richiesta di richiesta non menzionata può fare riferimento a Semi-SSTD. |
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