1. Metodi di installazione corretti del rivestimento SIC TAC 1.1 Lavori di preparazione Prima del trattamento del substrato di installazione: in primo luogo, pulire accuratamente la superficie del substrato per essere
Le soluzioni di wafer SOI (SOI) di silicio aumentano la velocità del chip, l'uso di energia tagliata e migliorano l'affidabilità, alimentando l'elettronica avanzata nel 2025.
I rivestimenti SIC su grafite aumentano la resistenza all'ossidazione, la stabilità termica e la durata per applicazioni industriali e semiconduttori ad alta temperatura.
Lo strato epitassiale a semiconduttore aumenta la velocità, l'affidabilità e l'efficienza del dispositivo, consentendo architetture avanzate e innovazioni di semiconduttori di prossima generazione.
Le innovazioni nel rivestimento SIC per i materiali di grafite aumentano la durata, la resistenza all'ossidazione e la vita di servizio in ambienti industriali ad alta temperatura.
Coating SIC su grafite usando la resistenza all'ossidazione della SIC, durata e stabilità termica per prestazioni industriali ad alta temperatura affidabili.
Semiconduttore Semicera Technology Co., Ltd., con sede a Ningbo, Zhejiang Province, Cina, è stata fondata nel gennaio 2018.
Semicera Semiconductor integrates R&D and production with dual research centers and three production bases, supporting 50 production lines and 200+ employees.
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