Suscettatore rivestito in SiC per LED UV profondo

Semicera Energy Technology Co., Ltd. è un fornitore leader di ceramiche di semiconduttore avanzata. I nostri prodotti principali includono: dischi incisi in carburo di silicio, rimorchi in barca in carburo di silicio, navi da wafer in carburo di silicio (PV e semiconduttore), tubi fornace in carburo di silicio, rivestimenti in silicio in carburo e rivestimenti in silicio e rivestimenti tac.

I prodotti sono utilizzati principalmente nelle industrie a semiconduttore e fotovoltaiche, come crescita dei cristalli, epitassia, incisione, imballaggio, rivestimento e fornace di diffusione.

Suscettatore rivestito in SiC per LED UV profondo

La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SIC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscono ad alta temperatura per ottenere molecole SiC ad alta purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato di protezione SIC.

UV-LED-1 UV-LED-2

Caratteristiche principali

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona quando la temperatura è alta fino a 1600 C.
2. Purità elevata: realizzata mediante deposizione di vapore chimico in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: alta durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acido, alcali, sale e reagenti organici.

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SIC-CVD
Struttura cristallina	Fase β FCC
Densità	g/cm ³	3.21
Durezza	Vickers Durezza	2500
Dimensione del grano	μm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J · kg-1 · k-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza felexurale	MPA (RT 4-point)	415
Modulo di Young	GPA (4pt Bend, 1300 ℃)	430
Espansione termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/MK)	300