MOCVD Epitaxisの成長のための高温SiCのコーティングのグラファイトのウエファーのスセプター

製品アプリケーション

1. 半導体製造

   • GaN、SiC、III-V化合物半導体のエピタキシャル蒸着に最適です.

   • 高性能LED、RF装置、パワーエレクトロニクスの製造に不可欠です.

2. 研究開発

   • 高度な材料研究と次世代半導体試作のためのラボによって信頼される.

3. 産業MOCVD システム

   • 大手のMOCVD装置と光電部品量産に対応.

主な利点

1. 比類のない耐久性

   • SiCのコーティングは従来のグラファイトの感受性と比較して3xによって耐用年数を拡張する熱衝撃、化学腐食および機械摩耗への抵抗を高めます.

2. 優秀な熱均等性

   • ウェーハ表面全体で±1.5%の温度の均等性のために設計され、沈殿物された層の欠陥を最小限に抑えます.

3. High-Temperature Stability

   • 最大1,800°Cの温度でシームレスに作動し、過酷なMOCVD環境での構造的完全性を維持します.

4. コスト効率

   • 耐久性と一貫した性能を延ばし、ダウンタイムと交換コストを削減します.

プロダクト特徴

1. プレミアム素材構成

   • 高密度、欠陥のないSiCコーティングで高純度の静電グラファイトを組み合わせ、最適な熱と耐薬品性を実現します.

2. カスタマイズ可能な設計

   • 多様なリアクター構成に適した、パンケーキ、垂直、水平など、調整可能なジオメトリでご利用いただけます.

3. Precision Engineering

   • 超滑らかな表面の終わり(<0.5 μm Ra)は沈殿物の間に最低の粒子の汚染を保障します.

4. 急速な熱応答

   • 低い熱固まりの設計はプロセス効率を高める熱する/冷却の周期を加速します.

Semiceraを選ぶ理由?

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