炭化ケイ素セラミックコーティング

As a professional Chinese manufacturer, supplier and exporter of Silicon Carbide Ceramic Coating. Semicera’s Silicon Carbide Ceramic Coating is widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment, especially in processing processes such as CVD and PECV. Semicera is committed to providing advanced technology and product solutions for the semiconductor industry, and welcomes your further consultation.

Semicera の炭化ケイ素の陶磁器のコーティングは非常に懸命に、耐久力のある炭化ケイ素(SiC)材料から成っている高性能の保護コーティングです。コーティングは通常、CVDまたは炭化ケイ素粒子のPVDプロセスによる基質の表面に沈着し、優れた化学耐食性と高温安定性を提供します。従って、炭化ケイ素の陶磁器のコーティングは半導体の製造装置の主要コンポーネントで広く利用されています.

半導体製造では、SiCコーティングは最大1600°Cの非常に高温に耐えることができるため、シリコンカーバイドセラミックコーティングは、高温や腐食性環境の損傷を防ぐための装置やツールの保護層としてしばしば使用されます.

同時に、炭化ケイ素の陶磁器のコーティングは酸、アルカリ、酸化物および他の化学試薬の腐食に抵抗でき、さまざまな化学物質への高い耐食性があります。そのため、半導体業界における各種腐食性環境に適しています.

また、他のセラミック材料と比較して、SiCは熱伝導率が高く、効果的に熱伝導率を発揮します。この特徴は、精密な温度制御を必要とする半導体プロセスで、炭化ケイ素の陶磁器のコーティングの高い熱伝導性が均等に熱を分散させ、ローカル過熱を防ぐのを助け、そして装置が最適温度で作動することを確かめる.

CVDシックコーティングの基本的な物理的性質
プロパティ	典型的な価値
Crystal Structure	FCC β 段階の多結晶、主に(111) 指向
コンテンツ	3.21 g/cm3
フリガナ	2500円ビッカース硬度(500g負荷)
穀物SiZe	2~10μm
Chemical Purity	99.99995%
Heat Capacity	640 J・kg^-1・K^-1
Sublimation Temperature	2700°C
曲げ強度	415 MPa RT 4点
Young’ s Modulus	430 Gpa 4ptのくねり、1300°C
熱伝導性	300W・m^-1・K^-1
熱膨張(CTE)	4.5×10^-6ログイン^-1