De siliciumfilm van Semicera is een hoog prestatiemateriaal dat is ontworpen voor een verscheidenheid aan geavanceerde toepassingen in de halfgeleider- en elektronica-industrie. Deze film is gemaakt van silicium van hoge kwaliteit en biedt uitzonderlijke uniformiteit, thermische stabiliteit en elektrische eigenschappen, waardoor het een ideale oplossing is voor dunne-filmafzetting, MEMS (micro-electromechanische systemen) en fabricage van halfgeleiderapparaat.
De siliciumfilm van Semicera is een hoogwaardig, precisie-ontworpen materiaal dat is ontworpen om te voldoen aan de strenge vereisten van de halfgeleiderindustrie. Deze dunne-filmoplossing is vervaardigd uit zuiver silicium en biedt uitstekende uniformiteit, hoge zuiverheid en uitzonderlijke elektrische en thermische eigenschappen. Het is ideaal voor gebruik in verschillende halfgeleidertoepassingen, waaronder de productie van Si Wafer, SiC-substraat, SOI-wafer, Sin-substraat en Epi-Wafer. De siliciumfilm van Semicera zorgt voor betrouwbare en consistente prestaties, waardoor het een essentieel materiaal is voor geavanceerde micro -elektronica.
Superieure kwaliteit en prestaties voor de productie van halfgeleiders
De siliciumfilm van Semicera staat bekend om zijn uitstekende mechanische sterkte, hoge thermische stabiliteit en lage defectsnelheden, die allemaal cruciaal zijn bij de fabricage van krachtige halfgeleiders. Of het nu wordt gebruikt bij de productie van Galliumoxide (GA2O3) -apparaten, ALN-wafer of EPI-Wafers, de film biedt een sterke basis voor dunne-filmafzetting en epitaxiale groei. De compatibiliteit met andere halfgeleidersubstraten zoals SiC -substraat en SOI -wafels zorgt voor naadloze integratie in bestaande productieprocessen, waardoor hoge opbrengsten en consistente productkwaliteit worden gehandhaafd.
Toepassingen in de halfgeleiderindustrie
In de halfgeleiderindustrie wordt de siliciumfilm van Semicera gebruikt in een breed scala aan toepassingen, van de productie van Si Wafer en Soi Wafer tot meer gespecialiseerde toepassingen zoals Sin-substraat en Epi-Wafer Creation. De hoge zuiverheid en precisie van deze film maken het essentieel bij de productie van geavanceerde componenten die worden gebruikt in alles, van microprocessors en geïntegreerde circuits tot opto -elektronische apparaten.
De siliciumfilm speelt een cruciale rol in halfgeleiderprocessen zoals epitaxiale groei, wafersbinding en dunne-filmafzetting. De betrouwbare eigenschappen zijn vooral waardevol voor industrieën die sterk gecontroleerde omgevingen vereisen, zoals cleanrooms in halfgeleider Fabs. Bovendien kan de siliciumfilm worden geïntegreerd in cassettesystemen voor efficiënte waferafhandeling en transport tijdens de productie.
Betrouwbaarheid en consistentie op lange termijn
Een van de belangrijkste voordelen van het gebruik van de siliciumfilm van Semicera is de betrouwbaarheid op lange termijn. Met zijn uitstekende duurzaamheid en consistente kwaliteit biedt deze film een betrouwbare oplossing voor productieomgevingen met een groot volume. Of het nu wordt gebruikt in zeer nauwkeurige halfgeleiderapparaten of geavanceerde elektronische toepassingen, de siliciumfilm van Semicera zorgt ervoor dat fabrikanten hoge prestaties en betrouwbaarheid kunnen bereiken in een breed scala aan producten.
Waarom kiezen voor de siliciumfilm van Semicera?
De siliciumfilm van Semicera is een essentieel materiaal voor geavanceerde toepassingen in de halfgeleiderindustrie. De krachtige eigenschappen, inclusief uitstekende thermische stabiliteit, hoge zuiverheid en mechanische sterkte, maken het de ideale keuze voor fabrikanten die de hoogste normen in de productie van halfgeleiders willen bereiken. Van Si Wafer en SiC -substraat tot de productie van Gallium -oxide GA2O3 -apparaten, deze film levert ongeëvenaarde kwaliteit en prestaties.
Met de siliciumfilm van Semicera kunt u vertrouwen op een product dat voldoet aan de behoeften van de moderne halfgeleiderproductie en een betrouwbare basis biedt voor de volgende generatie elektronica.
Items |
Productie |
Onderzoek |
Stom |
Kristalparameters |
|||
Polytype |
4H |
||
Oppervlakte -oriëntatiefout |
4±0.15° |
||
Elektrische parameters |
|||
Dopant |
n-type stikstof |
||
Weerstand |
0.015-0.025OHM · cm |
||
Mechanische parameters |
|||
Diameter |
150,0 ± 0,2 mm |
||
Dikte |
350 ± 25 µm |
||
Primaire platte oriëntatie |
[1-100]±5° |
||
Primaire platte lengte |
47,5 ± 1,5 mm |
||
Secundaire flat |
Geen |
||
TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
LTV |
≤3 μm (5 mm*5 mm) |
≤5 μm (5 mm*5 mm) |
≤10 μm (5 mm*5 mm) |
Boog |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45μm ~ 45 urm |
Kronkelen |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
Voorste (si-face) ruwheid (AFM) |
Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
||
Structuur |
|||
Micropipe dichtheid |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
Metaalonzuiverheden |
≤5E10atoms/cm2 |
NA |
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
NA |
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
NA |
Voorste kwaliteit |
|||
Voorkant |
Si |
||
Oppervlakte -afwerking |
Si-face CMP |
||
Deeltjes |
≤60EA/wafer (grootte ≥ 0,3 μm) |
NA |
|
Krassen |
≤5EA/mm. Cumulatieve lengte ≤diameter |
Cumulatieve lengte ≤2*diameter |
NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/besmetting |
Geen |
NA |
|
Edge -chips/inspringen/breuk/hexplaten |
Geen |
||
Polytype -gebieden |
Geen |
Cumulatief gebied ≤20% |
Cumulatief gebied ≤30% |
Laser markering vooraan |
Geen |
||
Rugkwaliteit |
|||
Back Finish |
C-gezicht CMP |
||
Krassen |
≤5ea/mm, cumulatieve lengte ≤2*diameter |
NA |
|
Achterafwijkingen (randchips/inspringen) |
Geen |
||
Terug ruwheid |
Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
||
Lasergrondbekleding |
1 mm (van bovenrand) |
||
Rand |
|||
Rand |
Schuif |
||
Verpakking |
|||
Verpakking |
Epi-ready met vacuümverpakkingen Multi-wafer cassette verpakking |
||
*OPMERKINGEN: "NA" betekent dat er geen aanvraagitems die niet worden genoemd, verwijzen naar semi-STD. |