Siliciumfilm

De siliciumfilm van Semicera is een hoog prestatiemateriaal dat is ontworpen voor een verscheidenheid aan geavanceerde toepassingen in de halfgeleider- en elektronica-industrie. Deze film is gemaakt van silicium van hoge kwaliteit en biedt uitzonderlijke uniformiteit, thermische stabiliteit en elektrische eigenschappen, waardoor het een ideale oplossing is voor dunne-filmafzetting, MEMS (micro-electromechanische systemen) en fabricage van halfgeleiderapparaat.

De siliciumfilm van Semicera is een hoogwaardig, precisie-ontworpen materiaal dat is ontworpen om te voldoen aan de strenge vereisten van de halfgeleiderindustrie. Deze dunne-filmoplossing is vervaardigd uit zuiver silicium en biedt uitstekende uniformiteit, hoge zuiverheid en uitzonderlijke elektrische en thermische eigenschappen. Het is ideaal voor gebruik in verschillende halfgeleidertoepassingen, waaronder de productie van Si Wafer, SiC-substraat, SOI-wafer, Sin-substraat en Epi-Wafer. De siliciumfilm van Semicera zorgt voor betrouwbare en consistente prestaties, waardoor het een essentieel materiaal is voor geavanceerde micro -elektronica.

Superieure kwaliteit en prestaties voor de productie van halfgeleiders

De siliciumfilm van Semicera staat bekend om zijn uitstekende mechanische sterkte, hoge thermische stabiliteit en lage defectsnelheden, die allemaal cruciaal zijn bij de fabricage van krachtige halfgeleiders. Of het nu wordt gebruikt bij de productie van Galliumoxide (GA2O3) -apparaten, ALN-wafer of EPI-Wafers, de film biedt een sterke basis voor dunne-filmafzetting en epitaxiale groei. De compatibiliteit met andere halfgeleidersubstraten zoals SiC -substraat en SOI -wafels zorgt voor naadloze integratie in bestaande productieprocessen, waardoor hoge opbrengsten en consistente productkwaliteit worden gehandhaafd.

Toepassingen in de halfgeleiderindustrie

In de halfgeleiderindustrie wordt de siliciumfilm van Semicera gebruikt in een breed scala aan toepassingen, van de productie van Si Wafer en Soi Wafer tot meer gespecialiseerde toepassingen zoals Sin-substraat en Epi-Wafer Creation. De hoge zuiverheid en precisie van deze film maken het essentieel bij de productie van geavanceerde componenten die worden gebruikt in alles, van microprocessors en geïntegreerde circuits tot opto -elektronische apparaten.

De siliciumfilm speelt een cruciale rol in halfgeleiderprocessen zoals epitaxiale groei, wafersbinding en dunne-filmafzetting. De betrouwbare eigenschappen zijn vooral waardevol voor industrieën die sterk gecontroleerde omgevingen vereisen, zoals cleanrooms in halfgeleider Fabs. Bovendien kan de siliciumfilm worden geïntegreerd in cassettesystemen voor efficiënte waferafhandeling en transport tijdens de productie.

Betrouwbaarheid en consistentie op lange termijn

Een van de belangrijkste voordelen van het gebruik van de siliciumfilm van Semicera is de betrouwbaarheid op lange termijn. Met zijn uitstekende duurzaamheid en consistente kwaliteit biedt deze film een ​​betrouwbare oplossing voor productieomgevingen met een groot volume. Of het nu wordt gebruikt in zeer nauwkeurige halfgeleiderapparaten of geavanceerde elektronische toepassingen, de siliciumfilm van Semicera zorgt ervoor dat fabrikanten hoge prestaties en betrouwbaarheid kunnen bereiken in een breed scala aan producten.

Waarom kiezen voor de siliciumfilm van Semicera?

De siliciumfilm van Semicera is een essentieel materiaal voor geavanceerde toepassingen in de halfgeleiderindustrie. De krachtige eigenschappen, inclusief uitstekende thermische stabiliteit, hoge zuiverheid en mechanische sterkte, maken het de ideale keuze voor fabrikanten die de hoogste normen in de productie van halfgeleiders willen bereiken. Van Si Wafer en SiC -substraat tot de productie van Gallium -oxide GA2O3 -apparaten, deze film levert ongeëvenaarde kwaliteit en prestaties.

Met de siliciumfilm van Semicera kunt u vertrouwen op een product dat voldoet aan de behoeften van de moderne halfgeleiderproductie en een betrouwbare basis biedt voor de volgende generatie elektronica.

Items

Productie

Onderzoek

Stom

Kristalparameters

Polytype

4H

Oppervlakte -oriëntatiefout

4±0.15°

Elektrische parameters

Dopant

n-type stikstof

Weerstand

0.015-0.025OHM · cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350 ± 25 µm

Primaire platte oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5 mm*5 mm)

≤5 μm (5 mm*5 mm)

≤10 μm (5 mm*5 mm)

Boog

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45μm ~ 45 urm

Kronkelen

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Voorste (si-face) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Micropipe dichtheid

<1 EA/CM2

<10 EA/CM2

<15 EA/CM2

Metaalonzuiverheden

≤5E10atoms/cm2

NA

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

NA

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

NA

Voorste kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakte -afwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60EA/wafer (grootte ≥ 0,3 μm)

NA

Krassen

≤5EA/mm. Cumulatieve lengte ≤diameter

Cumulatieve lengte ≤2*diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/besmetting

Geen

NA

Edge -chips/inspringen/breuk/hexplaten

Geen

Polytype -gebieden

Geen

Cumulatief gebied ≤20%

Cumulatief gebied ≤30%

Laser markering vooraan

Geen

Rugkwaliteit

Back Finish

C-gezicht CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte ≤2*diameter

NA

Achterafwijkingen (randchips/inspringen)

Geen

Terug ruwheid

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasergrondbekleding

1 mm (van bovenrand)

Rand

Rand

Schuif

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakkingen

Multi-wafer cassette verpakking

*OPMERKINGEN: "NA" betekent dat er geen aanvraagitems die niet worden genoemd, verwijzen naar semi-STD.

tech_1_2_size

Sic wafels

Nieuwbrief

Ik kijk uit naar uw contact met ons