
Op grafiet gebaseerde SiC-coating versus vast SiC: materialen kiezen voor halfgeleiderprocescomponenten
In halfgeleiderapparatuur (MOCVD, LPCVD, epitaxieovens, droogets-/schone kamers, enz.) werken belangrijke componenten zoals waferboten, trays, verwarmingskroezen en kamervoeringen gedurende langere perioden in zeer corrosieve atmosferen met hoge temperaturen (bijv. HCl, Cl₂, op F gebaseerde plasma's). De materiaalkeuze is rechtstreeks bepalend voor de opbrengst van de apparatuur, de onderhoudskosten en de levensduur. Twee reguliere technologieroutes domineren momenteel de industrie:
● Op grafiet gebaseerd SiC-gecoat materiaal (CVD SiC-gecoat grafiet)
● Vast/bulk SiC-materiaal (vast/bulk SiC, doorgaans ook geproduceerd volgens de CVD-methode)


