30 mm aluminium nitride wafelsubstraat

30 mm aluminium nitride wafelsubstraat - verhoog de prestaties van uw elektronische en opto -elektronische apparaten met Semicera's 30 mm aluminium nitride wafelssubstraat, ontworpen voor uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en hoge elektrische isolatie.

Semicera is trots om de 30 mm aluminium nitride wafelsubstraat, een topmateriaal dat is ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne elektronische en opto-elektronische toepassingen. Aluminium nitride (ALN) substraten staan ​​bekend om hun uitstekende thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie-eigenschappen, waardoor ze een ideale keuze zijn voor hoogwaardige apparaten.

 

Belangrijke functies:

       •  Uitzonderlijke thermische geleidbaarheid: De 30 mm aluminium nitride wafelsubstraat Beschikt over een thermische geleidbaarheid van maximaal 170 w/mk, aanzienlijk hoger dan andere substraatmaterialen, die een efficiënte warmtedissipatie in krachtige toepassingen waarborgen.

       •  Hoge elektrische isolatie: Met uitstekende elektrische isolerende eigenschappen minimaliseert dit substraat overspraak en signaalinterferentie, waardoor het ideaal is voor RF- en microgolftoepassingen.

       •  Mechanische sterkte: De 30 mm aluminium nitride wafelsubstraat Biedt een superieure mechanische sterkte en stabiliteit, waarvoor duurzaamheid en betrouwbaarheid zorgt, zelfs onder rigoureuze bedrijfsomstandigheden.

       •  Veelzijdige toepassingen: Dit substraat is perfect voor gebruik in krachtige LED's, laserdioden en RF-componenten, en biedt een robuuste en betrouwbare basis voor uw meest veeleisende projecten.

       •  Precisie -fabricage: Semicera zorgt ervoor dat elk wafelsubstraat wordt gefabriceerd met de hoogste precisie en biedt een uniforme dikte en oppervlaktekwaliteit om te voldoen aan de veeleisende normen van geavanceerde elektronische apparaten.

 

Maximaliseer de efficiëntie en betrouwbaarheid van uw apparaten met die van Semicera 30 mm aluminium nitride wafelsubstraat. Onze substraten zijn ontworpen om superieure prestaties te leveren, zodat uw elektronische en opto -elektronische systemen op hun best werken. Vertrouw semicera voor geavanceerde materialen die de industrie leiden in kwaliteit en innovatie.

Items

Productie

Onderzoek

Stom

Kristalparameters

Polytype

4H

Oppervlakte -oriëntatiefout

4±0.15°

Elektrische parameters

Dopant

n-type stikstof

Weerstand

0.015-0.025OHM · cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350 ± 25 µm

Primaire platte oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5 mm*5 mm)

≤5 μm (5 mm*5 mm)

≤10 μm (5 mm*5 mm)

Boog

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45μm ~ 45 urm

Kronkelen

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Voorste (si-face) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Micropipe dichtheid

<1 EA/CM2

<10 EA/CM2

<15 EA/CM2

Metaalonzuiverheden

≤5E10atoms/cm2

NA

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

NA

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

NA

Voorste kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakte -afwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60EA/wafer (grootte ≥ 0,3 μm)

NA

Krassen

≤5EA/mm. Cumulatieve lengte ≤diameter

Cumulatieve lengte ≤2*diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/besmetting

Geen

NA

Edge -chips/inspringen/breuk/hexplaten

Geen

Polytype -gebieden

Geen

Cumulatief gebied ≤20%

Cumulatief gebied ≤30%

Laser markering vooraan

Geen

Rugkwaliteit

Back Finish

C-gezicht CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte ≤2*diameter

NA

Achterafwijkingen (randchips/inspringen)

Geen

Terug ruwheid

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasergrondbekleding

1 mm (van bovenrand)

Rand

Rand

Schuif

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakkingen

Multi-wafer cassette verpakking

*OPMERKINGEN: "NA" betekent dat er geen aanvraagitems die niet worden genoemd, verwijzen naar semi-STD.

tech_1_2_size

Sic wafels

Nieuwbrief

Ik kijk uit naar uw contact met ons