Semicera provides high-quality CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring as well as customized services. Our CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring has excellent quality and performance, they are designed for etching steps to provide stable etching performance and excellent etching results. Semicera looks forward to establishing a long-term partnership with you in China.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is a special component made of Silicon Carbide (SiC) using the Chemical Vapor Deposition (CVD) method. CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring plays a key role in a variety of industrial applications, especially in processes involving material etching. Silicon Carbide is a unique and advanced ceramic material known for its outstanding properties, including high hardness, excellent thermal conductivity and resistance to harsh chemical environments.
The Chemical Vapor Deposition process involves depositing a thin layer of SiC onto a substrate in a controlled environment, resulting in a high-purity and precisely engineered material. CVD Silicon Carbide is known for its uniform and dense microstructure, excellent mechanical strength and enhanced thermal stability.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is made of CVD Silicon Carbide, which not only ensures excellent durability, but also resists chemical corrosion and extreme temperature changes. This makes it ideal for applications where precision, reliability and life are critical.
✓Top-quality in China market
✓Good service always for you, 7*24 hours
✓Short date of delivery
✓Small MOQ welcome and accepted
✓Custom services
Epitaxy groei susceptor
Silicium/siliciumcarbide wafels moeten door meerdere processen gaan om te worden gebruikt in elektronische apparaten. Een belangrijk proces is silicium/sic epitaxie, waarin silicium/sic -wafels op een grafietbasis worden gedragen. Speciale voordelen van de siliciumcarbide-gecoate grafietbasis van Semicera omvatten extreem hoge zuiverheid, uniforme coating en extreem lange levensduur. Ze hebben ook een hoge chemische weerstand en thermische stabiliteit.
LED -chipproductie
Tijdens de uitgebreide coating van de MOCVD -reactor beweegt de planetaire basis of drager de substraatwafer. De prestaties van het basismateriaal hebben een grote invloed op de coatingkwaliteit, die op zijn beurt de schroot van de chip beïnvloedt. De siliciumcarbide-gecoate basis van Semicera verhoogt de productie-efficiëntie van LED-wafels van hoge kwaliteit en minimaliseert de afwijking van de golflengte. We leveren ook extra grafietcomponenten voor alle MOCVD -reactoren die momenteel in gebruik zijn. We kunnen bijna elk onderdeel bedekken met een siliciumcarbide -coating, zelfs als de diameter van de component tot 1,5 m is, kunnen we nog steeds coaten met siliciumcarbide.
Halfgeleiderveld, oxidatiediffusieproces, Etc.
In het halfgeleiderproces vereist het oxidatie -uitbreidingsproces een hoge productzuiverheid, en bij Semicera bieden we aangepaste en CVD -coatingdiensten voor de meeste siliciumcarbide -onderdelen.
De volgende foto toont de ruw verwerkte siliciumcarbide-slurry van semicea en de siliciumcarbide-ovenbuis die wordt schoongemaakt in de 1000-niveau stofvrij kamer. Onze werknemers werken voordat ze coaten. De zuiverheid van ons siliciumcarbide kan 99.99% bereiken, en de zuiverheid van SIC -coating is groter dan 99.99995%
