Product introduction and use: Place 19 pieces of 2 time substrate for the growth of deep ultraviolet LED epitaxial filmDevice location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the waferMain downstream products :LED chipsMain end market: LED
Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SiC protective layer.
1. Oxidatieweerstand op hoge temperatuur:
De oxidatieweerstand is nog steeds erg goed als de temperatuur zo hoog is als 1600 C.
2. Hoge zuiverheid: gemaakt door chemische dampafzetting onder chloreringstoestand op hoge temperatuur.
3. Erosiebestendigheid: hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.
4. Corrosieweerstand: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
| SIC-CVD-eigenschappen | ||
| Kristalstructuur | FCC β phase | |
| Dikte | g/cm ³ | 3.21 |
| Hardheid | Vickers Hardheid | 2500 |
| Korrelgrootte | μm | 2~10 |
| Chemische zuiverheid | % | 99.99995 |
| Warmtecapaciteit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatietemperatuur | ℃ | 2700 |
| Felexurale kracht | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Young’ s Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Thermische expansie (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Thermische geleidbaarheid | (W/mk) | 300 |
