6-inch semi-insulerende hpsi sic wafer

Semicera's 6 inch semi-insulerende HPSI SIC-wafels worden ontworpen voor maximale efficiëntie en betrouwbaarheid bij krachtige elektronica. Deze wafels hebben uitstekende thermische en elektrische eigenschappen, waardoor ze ideaal zijn voor verschillende toepassingen, waaronder vermogensapparaten en hoogfrequente elektronica. Kies Semicera voor superieure kwaliteit en innovatie.

Semicera's 6 inch semi-insulerende HPSI SIC-wafels zijn ontworpen om te voldoen aan de rigoureuze eisen van moderne halfgeleidertechnologie. Met uitzonderlijke zuiverheid en consistentie dienen deze wafels als een betrouwbare basis voor het ontwikkelen van zeer efficiënte elektronische componenten.

Deze HPSI SIC-wafels staan ​​bekend om hun uitstekende thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie, die van cruciaal belang zijn voor het optimaliseren van de prestaties van vermogensapparaten en hoogfrequente circuits. De semi-aanmeldige eigenschappen helpen bij het minimaliseren van elektrische interferentie en het maximaliseren van apparaatefficiëntie.

Het hoogwaardige productieproces van Semicera zorgt ervoor dat elke wafel een uniforme dikte en minimale oppervlaktefouten heeft. Deze precisie is essentieel voor geavanceerde toepassingen zoals radiofrequentie -apparaten, stroomomvormers en LED -systemen, waarbij prestaties en duurzaamheid belangrijke factoren zijn.

Door gebruik te maken van state-of-the-art productietechnieken, biedt Semicera wafels die niet alleen voldoen aan de industrienormen. De 6-inch maat biedt flexibiliteit bij het opschalen van de productie, catering voor zowel onderzoeks- als commerciële toepassingen in de halfgeleidersector.

Het kiezen van Semicera's 6-inch semi-insulerende HPSI SIC-wafels betekent investeren in een product dat consistente kwaliteit en prestaties levert. Deze wafels maken deel uit van Semicera's toewijding om de mogelijkheden van halfgeleidertechnologie te bevorderen door innovatief materiaal en nauwgezet vakmanschap.

Items

Productie

Onderzoek

Stom

Kristalparameters

Polytype

4H

Oppervlakte -oriëntatiefout

4±0.15°

Elektrische parameters

Dopant

n-type stikstof

Weerstand

0.015-0.025OHM · cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350 ± 25 µm

Primaire platte oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5 mm*5 mm)

≤5 μm (5 mm*5 mm)

≤10 μm (5 mm*5 mm)

Boog

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45μm ~ 45 urm

Kronkelen

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

Voorste (si-face) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Micropipe dichtheid

<1 EA/CM2

<10 EA/CM2

<15 EA/CM2

Metaalonzuiverheden

≤5E10atoms/cm2

NA

BPD

≤1500 EA/CM2

≤3000 EA/CM2

NA

TSD

≤500 EA/CM2

≤1000 EA/CM2

NA

Voorste kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakte -afwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60EA/wafer (grootte ≥ 0,3 μm)

NA

Krassen

≤5EA/mm. Cumulatieve lengte ≤diameter

Cumulatieve lengte ≤2*diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/besmetting

Geen

NA

Edge -chips/inspringen/breuk/hexplaten

Geen

Polytype -gebieden

Geen

Cumulatief gebied ≤20%

Cumulatief gebied ≤30%

Laser markering vooraan

Geen

Rugkwaliteit

Back Finish

C-gezicht CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte ≤2*diameter

NA

Achterafwijkingen (randchips/inspringen)

Geen

Terug ruwheid

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasergrondbekleding

1 mm (van bovenrand)

Rand

Rand

Schuif

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakkingen

Multi-wafer cassette verpakking

*OPMERKINGEN: "NA" betekent dat er geen aanvraagitems die niet worden genoemd, verwijzen naar semi-STD.

tech_1_2_size

Sic wafels

Nieuwbrief

Ik kijk uit naar uw contact met ons