Semicera's 6 inch semi-insulerende HPSI SIC-wafels worden ontworpen voor maximale efficiëntie en betrouwbaarheid bij krachtige elektronica. Deze wafels hebben uitstekende thermische en elektrische eigenschappen, waardoor ze ideaal zijn voor verschillende toepassingen, waaronder vermogensapparaten en hoogfrequente elektronica. Kies Semicera voor superieure kwaliteit en innovatie.
Semicera's 6 inch semi-insulerende HPSI SIC-wafels zijn ontworpen om te voldoen aan de rigoureuze eisen van moderne halfgeleidertechnologie. Met uitzonderlijke zuiverheid en consistentie dienen deze wafels als een betrouwbare basis voor het ontwikkelen van zeer efficiënte elektronische componenten.
Deze HPSI SIC-wafels staan bekend om hun uitstekende thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie, die van cruciaal belang zijn voor het optimaliseren van de prestaties van vermogensapparaten en hoogfrequente circuits. De semi-aanmeldige eigenschappen helpen bij het minimaliseren van elektrische interferentie en het maximaliseren van apparaatefficiëntie.
Het hoogwaardige productieproces van Semicera zorgt ervoor dat elke wafel een uniforme dikte en minimale oppervlaktefouten heeft. Deze precisie is essentieel voor geavanceerde toepassingen zoals radiofrequentie -apparaten, stroomomvormers en LED -systemen, waarbij prestaties en duurzaamheid belangrijke factoren zijn.
Door gebruik te maken van state-of-the-art productietechnieken, biedt Semicera wafels die niet alleen voldoen aan de industrienormen. De 6-inch maat biedt flexibiliteit bij het opschalen van de productie, catering voor zowel onderzoeks- als commerciële toepassingen in de halfgeleidersector.
Het kiezen van Semicera's 6-inch semi-insulerende HPSI SIC-wafels betekent investeren in een product dat consistente kwaliteit en prestaties levert. Deze wafels maken deel uit van Semicera's toewijding om de mogelijkheden van halfgeleidertechnologie te bevorderen door innovatief materiaal en nauwgezet vakmanschap.
|
Items |
Productie |
Onderzoek |
Stom |
|
Kristalparameters |
|||
|
Polytype |
4H |
||
|
Oppervlakte -oriëntatiefout |
4±0.15° |
||
|
Elektrische parameters |
|||
|
Dopant |
n-type stikstof |
||
|
Weerstand |
0.015-0.025OHM · cm |
||
|
Mechanische parameters |
|||
|
Diameter |
150,0 ± 0,2 mm |
||
|
Dikte |
350 ± 25 µm |
||
|
Primaire platte oriëntatie |
[1-100]±5° |
||
|
Primaire platte lengte |
47,5 ± 1,5 mm |
||
|
Secundaire flat |
Geen |
||
|
TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
|
LTV |
≤3 μm (5 mm*5 mm) |
≤5 μm (5 mm*5 mm) |
≤10 μm (5 mm*5 mm) |
|
Boog |
-15 μm ~ 15 μm |
-35 μm ~ 35 μm |
-45μm ~ 45 urm |
|
Kronkelen |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
|
Voorste (si-face) ruwheid (AFM) |
Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
||
|
Structuur |
|||
|
Micropipe dichtheid |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
|
Metaalonzuiverheden |
≤5E10atoms/cm2 |
NA |
|
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
NA |
|
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
NA |
|
Voorste kwaliteit |
|||
|
Voorkant |
Si |
||
|
Oppervlakte -afwerking |
Si-face CMP |
||
|
Deeltjes |
≤60EA/wafer (grootte ≥ 0,3 μm) |
NA |
|
|
Krassen |
≤5EA/mm. Cumulatieve lengte ≤diameter |
Cumulatieve lengte ≤2*diameter |
NA |
|
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/besmetting |
Geen |
NA |
|
|
Edge -chips/inspringen/breuk/hexplaten |
Geen |
||
|
Polytype -gebieden |
Geen |
Cumulatief gebied ≤20% |
Cumulatief gebied ≤30% |
|
Laser markering vooraan |
Geen |
||
|
Rugkwaliteit |
|||
|
Back Finish |
C-gezicht CMP |
||
|
Krassen |
≤5ea/mm, cumulatieve lengte ≤2*diameter |
NA |
|
|
Achterafwijkingen (randchips/inspringen) |
Geen |
||
|
Terug ruwheid |
Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
||
|
Lasergrondbekleding |
1 mm (van bovenrand) |
||
|
Rand |
|||
|
Rand |
Schuif |
||
|
Verpakking |
|||
|
Verpakking |
Epi-ready met vacuümverpakkingen Multi-wafer cassette verpakking |
||
|
*OPMERKINGEN: "NA" betekent dat er geen aanvraagitems die niet worden genoemd, verwijzen naar semi-STD. |
|||