Semicera provides high-quality Epitaxy Wafer Carriers designed for Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera’s products ensure stability and excellent thermal conductivity for various semiconductor applications such as MOCVD Susceptors and Barrel Susceptors. Our products are widely used in the production process of Monocrystalline Silicon with excellent high temperature resistance and material compatibility.
Epitaxy Wafer Carrier is a critical component in semiconductor production, especially in Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera carefully designs and manufactures Wafer Carriers to withstand extremely high temperatures and chemical environments, ensuring excellent performance in applications such as MOCVD Susceptor and Barrel Susceptor. Whether it is the deposition of monocrystalline silicon or complex epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier provides excellent uniformity and stability.
Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is made of advanced materials with excellent mechanical strength and thermal conductivity, which can effectively reduce losses and instability during the process. In addition, the design of the Wafer Carrier can also adapt to epitaxy equipment of different sizes, thereby improving overall production efficiency.
For customers who require high-precision and high-purity epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is a trustworthy choice. We are always committed to providing customers with excellent product quality and reliable technical support to help improve the reliability and efficiency of production processes.
✓Top-quality in China market
✓Good service always for you, 7*24 hours
✓Short date of delivery
✓Small MOQ welcome and accepted
✓Custom services
Epitaxy groei susceptor
Silicium/siliciumcarbide wafels moeten door meerdere processen gaan om te worden gebruikt in elektronische apparaten. Een belangrijk proces is silicium/sic epitaxie, waarin silicium/sic -wafels op een grafietbasis worden gedragen. Speciale voordelen van de siliciumcarbide-gecoate grafietbasis van Semicera omvatten extreem hoge zuiverheid, uniforme coating en extreem lange levensduur. Ze hebben ook een hoge chemische weerstand en thermische stabiliteit.
LED -chipproductie
Tijdens de uitgebreide coating van de MOCVD -reactor beweegt de planetaire basis of drager de substraatwafer. De prestaties van het basismateriaal hebben een grote invloed op de coatingkwaliteit, die op zijn beurt de schroot van de chip beïnvloedt. De siliciumcarbide-gecoate basis van Semicera verhoogt de productie-efficiëntie van LED-wafels van hoge kwaliteit en minimaliseert de afwijking van de golflengte. We leveren ook extra grafietcomponenten voor alle MOCVD -reactoren die momenteel in gebruik zijn. We kunnen bijna elk onderdeel bedekken met een siliciumcarbide -coating, zelfs als de diameter van de component tot 1,5 m is, kunnen we nog steeds coaten met siliciumcarbide.
Halfgeleiderveld, oxidatiediffusieproces, Etc.
In het halfgeleiderproces vereist het oxidatie -uitbreidingsproces een hoge productzuiverheid, en bij Semicera bieden we aangepaste en CVD -coatingdiensten voor de meeste siliciumcarbide -onderdelen.
De volgende foto toont de ruw verwerkte siliciumcarbide-slurry van semicea en de siliciumcarbide-ovenbuis die wordt schoongemaakt in de 1000-niveau stofvrij room. Our workers are working before coating. The purity of our silicon carbide can reach 99.98%, and the purity of sic coating is greater than 99.9995%.
