Focus CVD is a special chemical vapor deposition method that uses specific reaction conditions and control parameters to achieve localized focus control of material deposition. In the preparation of focus CVD SiC rings, the focus area refers to the specific part of the ring structure that will receive the main deposition to form the specific shape and size required.
Focus CVD SiC Ring is a silicon carbide (SiC) ring material prepared by Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD) technology.
Focus CVD SiC Ring has many excellent performance characteristics. First, it has high hardness, high melting point and excellent high temperature resistance, and can maintain stability and structural integrity under extreme temperature conditions. Secondly, Focus CVD SiC Ring has excellent chemical stability and corrosion resistance, and has high resistance to corrosive media such as acids and alkalis. In addition, it also has excellent thermal conductivity and mechanical strength, which is suitable for application requirements in high temperature, high pressure and corrosive environments.
Focus CVD SiC Ring is widely used in many fields. It is often used for thermal isolation and protection materials of high temperature equipment, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors. In addition, Focus CVD SiC Ring can also be used in optoelectronics, semiconductor manufacturing, precision machinery and aerospace, providing high-performance environmental tolerance and reliability.
✓Top-quality in China market
✓Good service always for you, 7*24 hours
✓Short date of delivery
✓Small MOQ welcome and accepted
✓Custom services
Epitaxy groei susceptor
Silicium/siliciumcarbide wafels moeten door meerdere processen gaan om te worden gebruikt in elektronische apparaten. Een belangrijk proces is silicium/sic epitaxie, waarin silicium/sic -wafels op een grafietbasis worden gedragen. Speciale voordelen van de siliciumcarbide-gecoate grafietbasis van Semicera omvatten extreem hoge zuiverheid, uniforme coating en extreem lange levensduur. Ze hebben ook een hoge chemische weerstand en thermische stabiliteit.
LED -chipproductie
Tijdens de uitgebreide coating van de MOCVD -reactor beweegt de planetaire basis of drager de substraatwafer. De prestaties van het basismateriaal hebben een grote invloed op de coatingkwaliteit, die op zijn beurt de schroot van de chip beïnvloedt. De siliciumcarbide-gecoate basis van Semicera verhoogt de productie-efficiëntie van LED-wafels van hoge kwaliteit en minimaliseert de afwijking van de golflengte. We leveren ook extra grafietcomponenten voor alle MOCVD -reactoren die momenteel in gebruik zijn. We kunnen bijna elk onderdeel bedekken met een siliciumcarbide -coating, zelfs als de diameter van de component tot 1,5 m is, kunnen we nog steeds coaten met siliciumcarbide.
Halfgeleiderveld, oxidatiediffusieproces, Etc.
In het halfgeleiderproces vereist het oxidatie -uitbreidingsproces een hoge productzuiverheid, en bij Semicera bieden we aangepaste en CVD -coatingdiensten voor de meeste siliciumcarbide -onderdelen.
De volgende foto toont de ruw verwerkte siliciumcarbide-slurry van semicea en de siliciumcarbide-ovenbuis die wordt schoongemaakt in de 1000-niveau stofvrij kamer. Onze werknemers werken voordat ze coaten. De zuiverheid van ons siliciumcarbide kan 99.99% bereiken, en de zuiverheid van SIC -coating is groter dan 99.99995%.
