Semiconductor Silicon based GaN epitaxy

Semicera Energy Technology Co., Ltd. is a leading supplier of advanced semiconductor ceramics and the only manufacturer in China that can simultaneously provide high-purity silicon carbide ceramic(especially the Recrystallized SiC) and CVD SiC coating. In addition, our company is also committed to ceramic fields such as alumina, aluminum nitride, zirconia, and silicon nitride, etc.

Silicon-based GaN epitaxy

 

 

 

Productbeschrijving

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.

Hoofdkenmerken:

1. Oxidatieweerstand op hoge temperatuur:

De oxidatieweerstand is nog steeds erg goed als de temperatuur zo hoog is als 1600 C.

2. High purity : made by chemical vapor deposition under high temperature chlorination condition.

3. Erosiebestendigheid: hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.

4. Corrosieweerstand: zuur, alkali, zout en organische reagentia.

 

 

 

 

 

 

Hoofdspecificaties van CVD-SIC-coating

 

 

SIC-CVD-eigenschappen

Kristalstructuur

FCC β phase

Dikte

g/cm ³

3.21

Hardheid

Vickers Hardheid

2500

Korrelgrootte

μm

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmtecapaciteit

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimatietemperatuur

2700

Felexurale kracht

MPa  (RT 4-point)

415

Young’ s Modulus

GPA (4pt Bend, 1300 ℃)

430

Thermische expansie (CTE)

10-6K-1

4.5

Thermische geleidbaarheid

(W/mk)

300

 

 

 

 

 

 

 

 

Semicera werkplek

 

 

 

Semicera werkplek 2

 

 

 

Apparatuurmachine

 

 

 

CNN -verwerking, chemische reiniging, CVD -coating

 

 

 

Onze service

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Nieuwbrief

Ik kijk uit naar uw contact met ons