Wafer boats are key components in the semiconductor manufacturing process. Semiera is able to provide wafer boats that are specially designed and produced for diffusion processes, which play a vital role in the manufacture of high integrated circuits. We are firmly committed to providing the highest quality products at competitive prices and look forward to becoming your long-term partner in China.
Resistência a oxidação de alta temperatura
Excelente resistência à corrosão
Boa resistência à abrasão
Alto coeficiente de condutividade térmica
Auto-lubrificação, baixa densidade
Alta dureza
Design personalizado.
-Campo resistente ao desgaste: bucha, placa, bico de areia, forro de ciclone, barril de moagem, etc.…
-Campo de alta temperatura: laje SiC, tubo do forno de extinção, tubo radiante, cadinho, elemento de aquecimento, rolo, feixe, trocador de calor, tubo de ar frio, bico de queimador, tubo de proteção de termoples, barco sic, estrutura do carro do forno, setter, etc.
-Semicondutor de carboneto de silício: barco de bolacha sic, chuck sic, sic paddle, cassete sic, tubo de difusão sic, garfo de wafer, placa de sucção, guia, etc.
-Campo de vedação de carboneto de silício: todos os tipos de anel de vedação, rolamento, bucha, etc.
-Campo fotovoltaico: remar em cantilever, barril de moagem, rolo de carboneto de silício, etc.
-Campo da bateria de lítio
| Propriedade | Valor | Method |
| Densidade | 3.21 g/cc | Sink-float and dimension |
| Specific heat | 0.66 J/g °K | Pulsed laser flash |
| Flexural strength | 450 MPa560 MPa | 4 point bend, RT4 point bend, 1300° |
| Fracture toughness | 2.94 MPa m1/2 | Microindentation |
| Dureza | 2800 | Vicker’s, 500g load |
| Elastic ModulusYoung’s Modulus | 450 GPa430 GPa | 4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C |
| Grain size | 2 – 10 µm | SEM |
| Thermal Conductivity | 250 W/m °K | Laser flash method, RT |
| Thermal Expansion (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | Room temp to 950 °C, silica dilatometer |
| Item | Unidade | Data | ||||
| RBSiC(SiSiC) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| Conteúdo sic | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
| Free silicon content | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Max service temperature | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Densidade | g/cm3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| Open porosity | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Bending strength 20℃ | Мpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Bending strength 1200℃ | Мpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Modulus of elasticity 20℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Modulus of elasticity 1200℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
| Thermal conductivity 1200℃ | W/m.K | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Coefficient of thermal expansion | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | Kg/mm2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
The CVD silicon carbide coating on the outer surface of recrystallized silicon carbide ceramic products can reach a purity of more than 99.9999% to meet the needs of customers in the semiconductor industry.
