Solid CVD SiC Rings are mainly composed of silicon carbide (SiC), and have excellent physical and chemical properties. Silicon carbide is a ceramic material with a high melting point, high hardness and excellent corrosion resistance. It exhibits excellent thermal conductivity, chemical stability and mechanical strength at high temperatures, and has excellent wear and abrasion resistance.
Solid CVD SiC rings are widely used in industrial and scientific fields in high temperature, corrosive and abrasive environments. It plays an important role in multiple application areas, including:
1. Semiconductor manufacturing: Solid CVD SiC rings can be used for heating and cooling of semiconductor equipment, providing stable temperature control to ensure the accuracy and consistency of the process.
2. Optoelectronics: Due to its excellent thermal conductivity and high temperature resistance, Solid CVD SiC rings can be used as support and heat dissipation materials for lasers, fiber optic communication equipment and optical components.
3. Precision machinery: Solid CVD SiC rings can be used for precision instruments and equipment in high temperature and corrosive environments, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors.
4. Chemical industry: Solid CVD SiC rings can be used in containers, pipes and reactors in chemical reactions and catalytic processes due to their corrosion resistance and chemical stability.
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Susceptador de crescimento de epitaxia
As bolachas de carboneto de silício/silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/siC, na qual as bolachas de silício/SiC são transportadas em uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida de carboneto de Silicone da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também têm alta resistência química e estabilidade térmica.
Produção de chips LED
Durante o revestimento extenso do reator MOCVD, a base planetária ou transportadora move a bolacha do substrato. O desempenho do material base tem uma grande influência na qualidade do revestimento, o que, por sua vez, afeta a taxa de sucata do chip. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de bolachas LED de alta qualidade e minimiza o desvio do comprimento de onda. Também fornecemos componentes de grafite adicionais para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente tenha até 1,5 m, ainda podemos revestir com carboneto de silício.
Campo semicondutor, processo de difusão de oxidação, Etc.
No processo de semicondutores, o processo de expansão da oxidação requer alta pureza do produto e, na Semicera, oferecemos serviços de revestimento personalizados e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.
A figura a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processado em semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 1000-nível livre de poeira sala. Nossos trabalhadores estão trabalhando antes do revestimento. A pureza do nosso carboneto de silício pode atingir 99.99%, e a pureza do revestimento SiC é maior que 99.99995%.
