Tantalum carbide (TaC) coatings with high purity, high temperature stability and high chemical resistance

TaC coating is a new generation of high temperature resistant material, with better high temperature stability than SiC, serving as a corrosion-resistant, oxidation-resistant, and wear-resistant coating, can be used in the environment above 2000℃, widely used in aerospace ultra-high temperature hot end parts, the third generation of semiconductor single crystal growth and other fields.

A Semicera fornece revestimentos especializados de carboneto de tântalo (TAC) para vários componentes e transportadores. O processo de revestimento líder de semicera permite revestimentos de carboneto de tantalum (TAC) para obter alta pureza, alta estabilidade de temperatura e alta tolerância química, melhorando a qualidade do produto dos cristais SiC/GaN e camadas de EPI (Susceptador TAC revestido com grafite) e prolongando a vida útil dos principais componentes do reator. O uso do revestimento TAC de carboneto de tantalum é resolver o problema da borda e melhorar a qualidade do crescimento de cristais, e a semicera resolveu a tecnologia de revestimento de carboneto de tantalum (CVD), atingindo o nível avançado internacional.

 

Após anos de desenvolvimento, Semicera conquistou a tecnologia de CVD TAC com os esforços conjuntos do departamento de P&D. Defeitos são fáceis de ocorrer no processo de crescimento das bolachas sic, mas depois de usar TAC, a diferença é significativa. Abaixo está uma comparação de bolachas com e sem TAC, bem como as peças de Semicera para o crescimento de cristal único 

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com e sem TAC

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Depois de usar o TAC (à direita)

Além disso, a vida útil dos produtos de revestimento TAC da Semicera é mais longa e mais resistente à alta temperatura do que a do revestimento SiC. Após muito tempo de dados de medição de laboratório, nosso TAC pode trabalhar por um longo tempo a um máximo de 2300 graus Celsius. A seguir estão algumas de nossas amostras:

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(a) Diagrama esquemático do dispositivo de cultivo de lingote de cristal único sic por método PVT (b) Suporte de semente revestido com TAC (incluindo semente de sic) (c) guia de grafite revestida com tac anel

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Recurso principal

Local de trabalho semicera

Local de trabalho semicera 2

Máquina de equipamentos

Processamento da CNN, limpeza química, revestimento de CVD

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