A base revestida com carbião de silício de 12 polegadas, especialmente projetada para equipamentos ASM, possui SiC de alta pureza, resistente a altas temperaturas e à corrosão, garantindo a estabilidade dos processos de wafer. É compatível com EPI/CVD e outros processos de fabricação, oferecendo longa vida útil e excelente uniformidade térmica.
Em dispositivos epitaxiais avançados, como ASM, bases revestidas de carboneto de silício (SiC) de 12 polegadas (susceptor) estão se tornando consumíveis essenciais na fabricação de semicondutores de terceira geração.
A base de grafite tradicional enfrenta dois grandes desafios no processo MOCVD de alta temperatura: um é a contaminação causada pela difusão reversa do vapor de silício e o outro é a fissuração causada pela diferença nos coeficientes de expansão térmica. O revestimento β-SiC fabricado pelo processo de deposição química de vapor (CVD), com sua estrutura densa de 4,3g/cm³ e condutividade térmica de 3,2W/m·K, ainda pode manter uma planicidade de ±0,2mm a 1600 °C. Dados de teste da ASML da Holanda mostram que a base revestida com SiC de alta qualidade pode reduzir o arco do wafer de 120μm para menos de 35μm.
Para atender aos requisitos epitaxiais de wafers de 12 polegadas, as bases modernas adotam tecnologia de revestimento gradiente: a camada inferior é uma camada tampão de 50μm (SiC + 10% TiC), a camada intermediária é SiC de alta pureza de 120μm e a superfície é polida por plasma para obter um efeito espelhado com Ra<0,05μm. Esta estrutura mantém a uniformidade de temperatura dentro de ±1,5°C (dados medidos da plataforma EPI Centura de Materiais Aplicados). Vale a pena notar que o design do canal multiporo na parte traseira da base consegue uma distribuição uniforme do gás de arraste hidrogênio, reduzindo a flutuação da taxa de crescimento epitaxial para ±1,2%.
