Substrato de bolas de nitreto de alumínio de 30 mm

30mm Aluminum Nitride Wafer Substrate– Elevate the performance of your electronic and optoelectronic devices with Semicera’s 30mm Aluminum Nitride Wafer Substrate, designed for exceptional thermal conductivity and high electrical insulation.

Semicera is proud to present the Substrato de bolas de nitreto de alumínio de 30 mm, a top-tier material engineered to meet the stringent demands of modern electronic and optoelectronic applications. Aluminum Nitride (AlN) substrates are renowned for their outstanding thermal conductivity and electrical insulation properties, making them an ideal choice for high-performance devices.

 

Principais recursos:

       •  Exceptional Thermal Conductivity: O Substrato de bolas de nitreto de alumínio de 30 mm boasts a thermal conductivity of up to 170 W/mK, significantly higher than other substrate materials, ensuring efficient heat dissipation in high-power applications.

       •  High Electrical Insulation: With excellent electrical insulating properties, this substrate minimizes cross-talk and signal interference, making it ideal for RF and microwave applications.

       •  Mechanical Strength: O Substrato de bolas de nitreto de alumínio de 30 mm offers superior mechanical strength and stability, ensuring durability and reliability even under rigorous operating conditions.

       •  Versatile Applications: This substrate is perfect for use in high-power LEDs, laser diodes, and RF components, providing a robust and reliable foundation for your most demanding projects.

       •  Precision Fabrication: Semicera ensures that each wafer substrate is fabricated with the highest precision, offering uniform thickness and surface quality to meet the exacting standards of advanced electronic devices.

 

Maximize the efficiency and reliability of your devices with Semicera’s Substrato de bolas de nitreto de alumínio de 30 mm. Our substrates are designed to deliver superior performance, ensuring that your electronic and optoelectronic systems operate at their best. Trust Semicera for cutting-edge materials that lead the industry in quality and innovation.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de cristal

Polytype

4H

Erro de orientação da superfície

4±0.15°

Parâmetros elétricos

Dopante

nitrogênio do tipo n

Resistividade

0,015-0.025OHM · cm

Parâmetros mecânicos

Diâmetro

150,0 ± 0,2 mm

Grossura

350 ± 25 µm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5 ± 1,5 mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 µm

≤10 µm

≤15 µm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 µm

≤45 µm

≤55 µm

A rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas de metal

≤5E10atoms/cm2

N / D

Bpd

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

N / D

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

N / D

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento superficial

Si-face cmp

Partículas

≤60ea/wafer (size≥0,3μm)

N / D

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤DIAMETER

Comprimento cumulativo ≤2*diâmetro

N / D

Casca de laranja/poços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

N / D

Chips/recuos/fraturas/placas de fratura/placas hexadecimais

Nenhum

Áreas de poliateiro

Nenhum

Área cumulativa ≤20%

Área cumulativa ≤30%

Marcada a laser dianteira

Nenhum

Qualidade de volta

Final traseiro

CMP C-FACE

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*diâmetro

N / D

Defeitos traseiros (chips/recuos de borda)

Nenhum

Rugosidade de volta

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcação de laser traseiro

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi pronto com embalagem a vácuo

Embalagem de cassetes de várias linhas

*Notas : “NA” significa que nenhum item de solicitação não mencionado pode se referir ao Semi-STD.

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