36 pieces of 4 inches graphite base MOCVD equipment parts

● Product introduction and use: Placing 36 pieces of 4 inch substrate, used for the growth of blue-green epitaxial films in LED production
● Device location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the wafer
● Main downstream products: LED chips
● Main end market: LED

Descrição

 

 

 

 

 

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.

 

 

 

 

 

 

Base de grafite-36

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Principais características

 

 

 

 

 

1. Resistência a oxidação de alta temperatura:
A resistência da oxidação ainda é muito boa quando a temperatura é tão alta quanto 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposição de vapor químico sob condição de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácido, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

 

 

 

 

 

Propriedades SIC-CVD
Estrutura cristalina FCC β phase
Densidade g/cm ³ 3.21
Dureza Vickers dureza 2500
Tamanho de grão μm 2~10
Pureza química % 99.99995
Capacidade de calor J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura da sublimação 2700
Força felexural MPa  (RT 4-point) 415
Young’ s Modulus GPA (4pt Bend, 1300 ℃) 430
Expansão térmica (CTE) 10-6K-1 4.5
Condutividade térmica (W/mk) 300

 

 

 

 

 

 

 

 

Local de trabalho semicera

 

 

 

Local de trabalho semicera 2

 

 

 

Máquina de equipamentos

 

 

 

Processamento da CNN, limpeza química, revestimento de CVD

 

 

 

Ware House Semicera

 

 

 

Nosso serviço

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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