Introdução e uso do produto: Colocando 36 peças de substrato de 4 horas, usado para o crescimento de LEDs com filmes epitaxiais azul-esverdeados localização do produto: na câmara de reação, em contato direto com os produtos de wafermain a jusante: ChipsMain Mercado LED: LED
Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.
1. Resistência a oxidação de alta temperatura:
A resistência da oxidação ainda é muito boa quando a temperatura é tão alta quanto 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposição de vapor químico sob condição de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácido, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
| Propriedades SIC-CVD | ||
| Estrutura cristalina | FCC β phase | |
| Densidade | g/cm ³ | 3.21 |
| Dureza | Vickers dureza | 2500 |
| Tamanho de grão | μm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidade de calor | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura da sublimação | ℃ | 2700 |
| Força felexural | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Young’ s Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Expansão térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Condutividade térmica | (W/mk) | 300 |
