Este produto é um Kit de componentes à base de grafite de 41 peças projetado para Equipamento MOCVD (deposição de vapor químico metal-orgânico) de 4 polegadas . Fabricadas com materiais de grafite de alta pureza, essas peças são projetadas para estabilidade em altas temperaturas, excelente condutividade térmica e forte resistência química, garantindo desempenho estável em ambientes exigentes de crescimento epitaxial.
Os componentes são amplamente utilizados em sistemas de reatores MOCVD para GaN, SiC e outros processos de epitaxia de semicondutores compostos. Com usinagem precisa e controle de qualidade consistente, as peças ajudam a melhorar a uniformidade do campo térmico, melhorar a estabilidade do processo e prolongar a vida útil do equipamento.
1. Resistência à oxidação em alta temperatura:
A resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 ℃.
2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração em alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
| Propriedades SiC-CVD | ||
| Estrutura Cristalina | Fase β do FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamanho do grão | milímetros | 2~10 |
| Pureza Química | % | 99.99995 |
| Capacidade de calor | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de Sublimação | ℃ | 2700 |
| Força Felexural | MPa (TR 4 pontos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) | 430 |
| Expansão Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
