Product introduction and use: Placed 41 pieces of 4 hours substrate, used for growing LED with blue-green epitaxial filmDevice location of the product: in the reaction chamber, in direct contact with the waferMain downstream products: LED chipsMain end market: LED
Nossa empresa fornece Revestimento sic process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming a SiC protective layer.
1. Resistência a oxidação de alta temperatura:
the oxidation resistance is still very good when the temperature is as high as 1600 ℃.
2. Alta pureza: feita por deposição de vapor químico sob condição de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácido, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
| Propriedades SIC-CVD | ||
| Estrutura cristalina | Fase β da FCC | |
| Densidade | g/cm ³ | 3.21 |
| Dureza | Vickers dureza | 2500 |
| Tamanho de grão | mm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidade de calor | J · kg-1 · k-1 | 640 |
| Temperatura da sublimação | ℃ | 2700 |
| Força felexural | MPA (RT 4 pontos) | 415 |
| Módulo de Young | GPA (4pt Bend, 1300 ℃) | 430 |
| Expansão térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Condutividade térmica | (W/mk) | 300 |
