Os wafers SiC tipo N de 8 polegadas da Semicera são projetados para aplicações de ponta em eletrônicos de alta potência e alta frequência. Esses wafers fornecem propriedades elétricas e térmicas superiores, garantindo desempenho eficiente em ambientes exigentes. Semicera oferece inovação e confiabilidade em materiais semicondutores.
Os Wafers SiC tipo N de 8 polegadas da Semicera estão na vanguarda da inovação em semicondutores, fornecendo uma base sólida para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alto desempenho. Esses wafers são projetados para atender às rigorosas demandas das aplicações eletrônicas modernas, desde eletrônica de potência até circuitos de alta frequência.
A dopagem tipo N nesses wafers de SiC aumenta sua condutividade elétrica, tornando-os ideais para uma ampla gama de aplicações, incluindo diodos de potência, transistores e amplificadores. A condutividade superior garante perda mínima de energia e operação eficiente, que são essenciais para dispositivos que operam em altas frequências e níveis de potência.
Semicera emprega técnicas avançadas de fabricação para produzir wafers de SiC com excepcional uniformidade de superfície e defeitos mínimos. Esse nível de precisão é essencial para aplicações que exigem desempenho e durabilidade consistentes, como nos setores aeroespacial, automotivo e de telecomunicações.
A incorporação dos wafers SiC tipo N de 8 polegadas da Semicera em sua linha de produção fornece uma base para a criação de componentes que podem suportar ambientes agressivos e altas temperaturas. Esses wafers são perfeitos para aplicações em conversão de energia, tecnologia RF e outros campos exigentes.
Escolher os wafers de SiC tipo N de 8 polegadas da Semicera significa investir em um produto que combina ciência de materiais de alta qualidade com engenharia precisa. A Semicera está comprometida em aprimorar as capacidades das tecnologias de semicondutores, oferecendo soluções que melhoram a eficiência e a confiabilidade de seus dispositivos eletrônicos.
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Unid |
Produção |
Pesquisar |
Fictício |
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Parâmetros de Cristal |
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Politipo |
4H |
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Erro de orientação de superfície |
<11-20 >4±0.15° |
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Parâmetros Elétricos |
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Dopante |
Nitrogênio tipo n |
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Resistividade |
0,015-0,025ohm·cm |
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Parâmetros Mecânicos |
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Diâmetro |
150,0±0,2 mm |
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Grossura |
350±25 µm |
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Orientação plana primária |
[1-100]±5° |
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Comprimento plano primário |
47,5±1,5mm |
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Apartamento secundário |
Nenhum |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3 μm(5mm*5mm) |
≤5 μm(5mm*5mm) |
≤10 μm(5mm*5mm) |
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Arco |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
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Urdidura |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
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Estrutura |
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Densidade de microtubos |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / D |
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DBP |
≤1500 ea/cm2 |
≤3000 ea/cm2 |
N / D |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
≤1000 ea/cm2 |
N / D |
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Qualidade frontal |
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Frente |
Si |
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Acabamento de superfície |
CMP de face Si |
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Partículas |
≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) |
N / D |
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Arranhões |
≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro |
Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro |
N / D |
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Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação |
Nenhum |
N / D |
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Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas |
Nenhum |
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Áreas politípicas |
Nenhum |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcação a laser frontal |
Nenhum |
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Qualidade traseira |
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Acabamento traseiro |
CMP face C |
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Arranhões |
≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro |
N / D |
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Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) |
Nenhum |
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Rugosidade nas costas |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
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Marcação a laser traseira |
1 mm (da borda superior) |
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Borda |
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Borda |
Chanfro |
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Embalagem |
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Embalagem |
Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer |
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*Notas: “NA” significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |
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