Susceptor de suporte de wafer de grafite revestido com SiC de 8 polegadas

O susceptor de grafite de 8 polegadas da Semicera com revestimento de SiC é fabricado usando um processo CVD para aplicações de semicondutores de alta temperatura. O produto apresenta condutividade térmica estável, forte resistência à oxidação e excelente resistência à corrosão química. A camada densa e uniforme de SiC protege eficazmente a base de grafite contra a erosão do gás do processo, prolongando significativamente a vida útil sob condições operacionais adversas.

É amplamente utilizado em MOCVD, CVD e outros sistemas de epitaxia e deposição de alta temperatura, garantindo suporte estável de wafer e distribuição uniforme de calor. Projetado para ambientes de produção em massa na fabricação de semicondutores e LED, ele oferece desempenho consistente e alta confiabilidade de processo.

Descrição

O revestimento CVD-SiC apresenta uma microestrutura uniforme, morfologia densa e excelente estabilidade em altas temperaturas. Oferece excelente resistência à oxidação, alta pureza e forte resistência a ácidos, álcalis e solventes orgânicos, garantindo desempenho físico e químico estável sob condições severas de processo.

Em comparação, a grafite de alta pureza começa a oxidar em torno 400ºC , levando à perda de material por pulverização. Isto não só causa a contaminação dos equipamentos circundantes e das câmaras de vácuo, mas também aumenta os níveis de impurezas em ambientes de processamento de alta pureza.

Em contraste, os revestimentos de SiC permanecem quimicamente e fisicamente estáveis ​​até aproximadamente 1600°C , melhorando significativamente a durabilidade e a limpeza do processo. Como resultado, os componentes revestidos com CVD-SiC são amplamente adotados em aplicações industriais modernas de alta temperatura, particularmente na fabricação de semicondutores.

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Principais recursos

1. Grafite revestida com SiC de alta pureza, a pureza pode atingir o 99.99995%

2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica

3. Cristal SiC fino revestido para uma superfície lisa

4. Alta durabilidade contra limpeza química

Principais Especificações dos Revestimentos CVD-SIC:

SiC-CVD
Densidade (g/cc) 3.21
Resistência à flexão (Mpa) 470
Expansão térmica (10-6/K) 4
Condutividade térmica (W/mK) 300

 

Embalagem e Envio 

Capacidade de fornecimento:
10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: Embalagem Padrão e Forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera:

Quantidade (Peças) 1 – 1000 >1000
Husa. Tempo (dias) 30 A ser negociado

Local de trabalho semicera 

Local de trabalho de Semicera 2
Máquina de equipamento
Processamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
Armazém Semicera
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