Semicera provides high-quality Epitaxy Wafer Carriers designed for Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera’s products ensure stability and excellent thermal conductivity for various semiconductor applications such as MOCVD Susceptors and Barrel Susceptors. Our products are widely used in the production process of Monocrystalline Silicon with excellent high temperature resistance and material compatibility.
Epitaxy Wafer Carrier is a critical component in semiconductor production, especially in Si Epitaxy and SiC Epitaxy processes. Semicera carefully designs and manufactures Wafer Carriers to withstand extremely high temperatures and chemical environments, ensuring excellent performance in applications such as MOCVD Susceptor and Barrel Susceptor. Whether it is the deposition of monocrystalline silicon or complex epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier provides excellent uniformity and stability.
Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is made of advanced materials with excellent mechanical strength and thermal conductivity, which can effectively reduce losses and instability during the process. In addition, the design of the Wafer Carrier can also adapt to epitaxy equipment of different sizes, thereby improving overall production efficiency.
For customers who require high-precision and high-purity epitaxy processes, Semicera’s Epitaxy Wafer Carrier is a trustworthy choice. We are always committed to providing customers with excellent product quality and reliable technical support to help improve the reliability and efficiency of production processes.
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Susceptador de crescimento de epitaxia
As bolachas de carboneto de silício/silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/siC, na qual as bolachas de silício/SiC são transportadas em uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida de carboneto de Silicone da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também têm alta resistência química e estabilidade térmica.
Produção de chips LED
Durante o revestimento extenso do reator MOCVD, a base planetária ou transportadora move a bolacha do substrato. O desempenho do material base tem uma grande influência na qualidade do revestimento, o que, por sua vez, afeta a taxa de sucata do chip. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de bolachas LED de alta qualidade e minimiza o desvio do comprimento de onda. Também fornecemos componentes de grafite adicionais para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente tenha até 1,5 m, ainda podemos revestir com carboneto de silício.
Campo semicondutor, processo de difusão de oxidação, Etc.
No processo de semicondutores, o processo de expansão da oxidação requer alta pureza do produto e, na Semicera, oferecemos serviços de revestimento personalizados e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.
A figura a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processado em semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 1000-nível livre de poeira room. Our workers are working before coating. The purity of our silicon carbide can reach 99.98%, and the purity of sic coating is greater than 99.9995%.
