Ga2O3Epitaxy– Enhance your high-power electronic and optoelectronic devices with Semicera’s Ga2O3Epitaxy, offering unmatched performance and reliability for advanced semiconductor applications.
Semicera proudly offers Ga2O3 Epitaxy, a state-of-the-art solution designed to push the boundaries of power electronics and optoelectronics. This advanced epitaxial technology leverages the unique properties of Gallium Oxide (Ga2O3) to deliver superior performance in demanding applications.
Principais recursos:
• Exceptional Wide Bandgap: Ga2O3 Epitaxy features an ultra-wide bandgap, allowing for higher breakdown voltages and efficient operation in high-power environments.
• High Thermal Conductivity: The epitaxial layer provides excellent thermal conductivity, ensuring stable operation even under high-temperature conditions, making it ideal for high-frequency devices.
• Superior Material Quality: Achieve high crystal quality with minimal defects, ensuring optimal device performance and longevity, especially in critical applications such as power transistors and UV detectors.
• Versatility in Applications: Perfectly suited for power electronics, RF applications, and optoelectronics, providing a reliable foundation for next-generation semiconductor devices.
Discover the potential of Ga2O3 Epitaxy with Semicera’s innovative solutions. Our epitaxial products are designed to meet the highest standards of quality and performance, enabling your devices to operate with maximum efficiency and reliability. Choose Semicera for cutting-edge semiconductor technology.
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Unid |
Produção |
Pesquisar |
Fictício |
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Parâmetros de cristal |
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Polytype |
4H |
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Erro de orientação da superfície |
4±0.15° |
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Parâmetros elétricos |
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Dopante |
nitrogênio do tipo n |
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Resistividade |
0,015-0.025OHM · cm |
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Parâmetros mecânicos |
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Diâmetro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Grossura |
350 ± 25 µm |
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Orientação plana primária |
[1-100]±5° |
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Comprimento plano primário |
47,5 ± 1,5 mm |
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Apartamento secundário |
Nenhum |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3 μm (5mm*5mm) |
≤5 μm (5mm*5mm) |
≤10 μm (5mm*5mm) |
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Arco |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
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Urdidura |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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A rugosidade frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
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Estrutura |
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Densidade de micropipe |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
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Impurezas de metal |
≤5E10atoms/cm2 |
N / D |
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Bpd |
≤1500 ea/cm2 |
≤3000 ea/cm2 |
N / D |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
≤1000 ea/cm2 |
N / D |
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Qualidade frontal |
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Frente |
Si |
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Acabamento superficial |
Si-face cmp |
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Partículas |
≤60ea/wafer (size≥0,3μm) |
N / D |
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Arranhões |
≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤DIAMETER |
Comprimento cumulativo ≤2*diâmetro |
N / D |
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Casca de laranja/poços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação |
Nenhum |
N / D |
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Chips/recuos/fraturas/placas de fratura/placas hexadecimais |
Nenhum |
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Áreas de poliateiro |
Nenhum |
Área cumulativa ≤20% |
Área cumulativa ≤30% |
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Marcada a laser dianteira |
Nenhum |
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Qualidade de volta |
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Final traseiro |
CMP C-FACE |
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Arranhões |
≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*diâmetro |
N / D |
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Defeitos traseiros (chips/recuos de borda) |
Nenhum |
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Rugosidade de volta |
Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
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Marcação de laser traseiro |
1 mm (da borda superior) |
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Borda |
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Borda |
Chanfro |
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Embalagem |
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Embalagem |
Epi pronto com embalagem a vácuo Embalagem de cassetes de várias linhas |
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*Notas ： “NA” significa que nenhum item de solicitação não mencionado pode se referir ao Semi-STD. |
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