O nitreto de gálio (GaN), como os materiais de carboneto de silício (SiC), pertence à terceira geração de materiais semicondutores com ampla largura de banda, com grande largura de banda, alta condutividade térmica, alta taxa de migração de saturação de elétrons e campo elétrico de alta decomposição características excelentes. Os dispositivos GaN têm uma ampla gama de perspectivas de aplicação em campos de alta frequência, alta velocidade e alta demanda de energia, como iluminação LED de economia de energia, tela de projeção a laser, novos veículos de energia, rede inteligente, comunicação 5G.
Os materiais semicondutores de terceira geração incluem principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque sua largura de banda larga (por exemplo) é maior ou igual a 2,3 elétron-volts (eV), também conhecidos como materiais semicondutores de banda larga. Em comparação com os materiais semicondutores de primeira e segunda geração, os materiais semicondutores de terceira geração têm as vantagens de alta condutividade térmica, alto campo elétrico de decomposição, alta taxa de migração de elétrons saturada e alta energia de ligação, que podem atender aos novos requisitos da tecnologia eletrônica moderna para alta temperatura, alta potência, alta pressão, alta frequência e resistência à radiação e outras condições adversas. Tem importantes perspectivas de aplicação nas áreas de defesa nacional, aviação, aeroespacial, exploração de petróleo, armazenamento óptico, etc., e pode reduzir a perda de energia em mais de 50% em muitas indústrias estratégicas, como comunicações de banda larga, energia solar, fabricação de automóveis, iluminação de semicondutores e redes inteligentes, e pode reduzir o volume de equipamentos em mais de 75%, o que é de grande importância para o desenvolvimento da ciência e tecnologia humanas.
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Item |
GaN-FS-C-U-C50 |
GaN-FS-C-N-C50 |
GaN-FS-C-SI-C50 |
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Diâmetro |
50,8±1 mm |
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Grossura grossura |
350 ± 25 µm |
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Orientação |
Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ± 0,15° |
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Apartamento Prime |
(1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1mm |
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Plano Secundário |
(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1mm |
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Condutividade |
Tipo N |
Tipo N |
Semi-Isolante |
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Resistividade (300K) |
< 0,1Ω·cm |
< 0,05Ω·cm |
> 106Ω·cm |
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TTV |
≤ 15 µm |
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ARCO |
≤ 20 µm |
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Rugosidade da superfície da face Ga |
< 0,2 nm (polido); |
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ou < 0,3 nm (polimento e tratamento de superfície para epitaxia) |
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Rugosidade da superfície da face N |
0,5 ~1,5 µm |
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opção: 1~3 nm (terra fina); <0,2 nm (polido) |
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Densidade de Luxação |
De 1 x 105 a 3 x 106 cm-2 (calculado por CL)* |
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Densidade de macrodefeitos |
< 2 cm-2 |
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Área Útil |
> 90% (exclusão de defeitos de borda e macro) |
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Pode ser personalizado de acordo com as necessidades do cliente, estrutura diferente de silício, safira, folha epitaxial GaN baseada em SiC. |
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