A matéria-prima de carboneto de silício CVD de alta pureza semicera é um material semicondutor com excelente desempenho. É preparado por deposição de vapor químico (DCV) e possui excelentes características, como alta pureza, alto grau de moldagem e baixa densidade de defeitos. É um material básico ideal para fabricar dispositivos de carboneto de silício de alto desempenho.
A matéria-prima cvd sic de alta pureza por semicera é um material avançado projetado para uso em aplicações de alto desempenho que requerem estabilidade térmica excepcional, dureza e propriedades elétricas. Feito de carboneto de silício de deposição de vapor químico de alta qualidade (CVD), essa matéria-prima fornece pureza e consistência superiores, tornando-o ideal para fabricação de semicondutores, revestimentos de alta temperatura e outras aplicações industriais de precisão.
A matéria -prima CVD SIC de alta pureza da Semicera é conhecida por sua excelente resistência ao desgaste, oxidação e choque térmico, garantindo um desempenho confiável, mesmo nos ambientes mais exigentes. Seja usado na produção de dispositivos semicondutores, ferramentas abrasivas ou revestimentos avançados, esse material fornece uma base sólida para aplicações de alto desempenho que exigem os mais altos padrões de pureza e precisão.
Com a matéria -prima CVD SIC de alta pureza da Semicera, os fabricantes podem obter qualidade superior do produto e eficiência operacional. Este material suporta uma variedade de indústrias, da eletrônica à energia, oferecendo durabilidade e desempenho que é inigualável.
▪ Alta pureza: Conteúdo de impureza extremamente baixo, garantindo a confiabilidade do dispositivo.
▪ Alta cristalinidade: Estrutura cristalina perfeita, que é propícia a melhorar o desempenho do dispositivo.
▪ Baixa densidade de defeitos: pequeno número de defeitos, reduzindo a corrente de vazamento do dispositivo.
▪ Tamanho grande: Os substratos de carboneto de silício de tamanho grande podem ser fornecidos para atender às necessidades de diferentes clientes.
▪ Serviço personalizado: Diferentes tipos e especificações dos materiais de carboneto de silício podem ser personalizados de acordo com as necessidades dos clientes.
Vantagens do produto
▪ BandGap amplo: O carboneto de silício possui uma característica ampla de bandGAP, que permite ter um excelente desempenho em ambientes agressivos, como alta temperatura, alta pressão e alta frequência.
▪ Alta tensão de ruptura: Os dispositivos de carboneto de silício têm uma tensão de ruptura mais alta e podem fabricar dispositivos de maior potência.
▪ Alta condutividade térmica: O carboneto de silício possui excelente condutividade térmica, que é propícia à dissipação de calor do dispositivo.
▪ Alta mobilidade de elétrons: Os dispositivos de carboneto de silício têm uma maior mobilidade de elétrons, que pode aumentar a frequência operacional do dispositivo.
