Semicera é um fornecedor profissional de componentes cerâmicos avançados para aplicações industriais de semicondutores e de alta temperatura. Nosso Barco wafer de carboneto de silício recristalizado de tamanho grande (R-SiC) foi projetado para carregamento e transporte estável de wafer em processos de difusão, oxidação e forno LPCVD.
Feito de carboneto de silício recristalizado de alta pureza, oferece excelente estabilidade térmica, alta resistência, resistência à corrosão e longa vida útil, tornando-o adequado para ambientes exigentes de alta temperatura na fabricação de semicondutores.
de Semícera Carboneto de Silício Recristalizado (R-SiC) é um material cerâmico de alto desempenho formado através de tratamento de alta temperatura acima 2.000°C . Ele mantém as principais vantagens do carboneto de silício, incluindo excelente resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, resistência à oxidação e resistência ao choque térmico.
Graças à sua estrutura estável e ao processo de sinterização sem contração, o R-SiC pode ser fabricado em componentes complexos e de alta precisão, com longa vida útil e desempenho confiável em ambientes de trabalho adversos.
Semicera R-SiC é amplamente utilizado em peças de fornos semicondutores, como barcos wafer, susceptores e estruturas de suporte, bem como outras aplicações industriais de alta temperatura.
R-SiC é um material cerâmico de alto desempenho feito por tratamento em alta temperatura acima de 2.000°C. Ele mantém a maioria das excelentes propriedades do carboneto de silício, como resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, resistência à oxidação e boa resistência ao choque térmico.
1. Boa resistência mecânica
R-SiC tem alta resistência e rigidez e pode manter um desempenho estável mesmo sob condições de trabalho adversas e de alta temperatura. Também possui boa resistência ao impacto e não é fácil de quebrar ou deformar durante o uso.
2. Forte resistência à corrosão
Pode resistir à maioria dos ácidos, álcalis e gases corrosivos. Mesmo no uso prolongado em ambientes químicos agressivos, ele ainda pode manter um desempenho estável e não é facilmente danificado.
3. Excelente estabilidade térmica
O R-SiC pode suportar mudanças rápidas de temperatura sem rachar. Ele tem um bom desempenho em processos de alta temperatura e em ciclos repetidos de aquecimento e resfriamento.
4. Sem encolhimento durante a sinterização
Durante o processo de recristalização, o material não encolhe, portanto quase não há tensão interna. Isto ajuda a prevenir deformações ou fissuras e permite a produção de peças complexas e de alta precisão.
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Material |
R-SiC |
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Temperatura de trabalho ( ° C) |
1600ºC ( Ambiente oxidante) 1700ºC ( Reduzindo o ambiente) |
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Conteúdo de SiC (%) |
> 99 |
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Conteúdo Si grátis (%) |
< 0.1 |
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Densidade aparente (g/cm3) |
2.60-2.70 |
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Porosidade aparente (%) |
< 16 |
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Resistência ao esmagamento (MPa) |
> 600 |
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Resistência à flexão a frio (MPa) |
80-90 (20°C) |
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Resistência à flexão a quente (MPa) |
90-100 (1400°C) |
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Coeficiente de expansão térmica @1500°C (10-6/°C) |
4.70 |
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Condutividade térmica @1200 ° C (W/m • K) |
23 |
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Módulo elástico (GPa) |
240 |
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Resistência ao choque térmico |
Extremamente bom |
