O pó de SiC de alta pureza da Semicera possui teor excepcionalmente alto de carbono e silício, com níveis de pureza que variam de 4N a 6N. Com tamanhos de partículas de nanômetros a micrômetros, possui uma grande área de superfície específica. O pó de SiC da Semicera aumenta a reatividade, a dispersibilidade e a atividade superficial, ideal para aplicações de materiais avançados.
O carboneto de silício (SiC) está rapidamente se tornando uma escolha preferida em relação ao silício para componentes eletrônicos, especialmente em aplicações de banda larga. O SiC oferece maior eficiência energética, tamanho compacto, peso reduzido e menores custos gerais do sistema.
A demanda por pós de SiC de alta pureza nas indústrias eletrônica e de semicondutores levou a Semicera a desenvolver um pó de SiC de alta pureza superior. O método inovador da Semicera para produzir SiC de alta pureza resulta em pós que demonstram mudanças morfológicas mais suaves, consumo de material mais lento e interfaces de crescimento mais estáveis em configurações de crescimento de cristais.
Nosso pó de SiC de alta pureza está disponível em vários tamanhos e pode ser personalizado para atender às necessidades específicas do cliente. Para mais detalhes e para discutir seu projeto, entre em contato com a Semicera.
