é um fornecedor líder especializado em wafer e consumíveis avançados de semicondutores. Estamos empenhados em fornecer produtos de alta qualidade, confiáveis e inovadores para fabricação de semicondutores, indústria fotovoltaica e outros campos relacionados. processo e estamos comprometidos em fornecer produtos que atendam aos mais altos padrões de qualidade para atender às necessidades de nossos clientes.
A Semicera apresenta pás cantilever de carboneto de silício personalizadas de alta qualidade, criadas para elevar os processos de fabricação de semicondutores. O design inovador da pá de SiC garante durabilidade excepcional e alta resistência térmica, tornando-o um componente essencial para o manuseio de wafers em ambientes desafiadores de alta temperatura.
A pá de carboneto de silício foi construída para resistir a ciclos térmicos extremos, mantendo a integridade estrutural, garantindo o transporte confiável do wafer durante as fases críticas da produção de semicondutores. Com resistência mecânica superior, este barco de wafer minimiza o risco de danos aos wafers, levando a rendimentos mais elevados e qualidade de produção consistente.
Uma das principais inovações no remo SiC da Semicera está em suas opções de design personalizado. Adaptada para atender às necessidades específicas de produção, a pá oferece flexibilidade na integração com diversas configurações de equipamentos, tornando-a uma solução ideal para processos de fabricação modernos. A construção leve, porém robusta, permite fácil manuseio e reduz o tempo de inatividade operacional, contribuindo para melhorar a eficiência na produção de semicondutores.
Além de suas propriedades térmicas e mecânicas, a pá de carboneto de silício oferece excelente resistência química, permitindo um desempenho confiável mesmo em ambientes químicos agressivos. Isso o torna particularmente adequado para uso em processos que envolvem gravação, deposição e tratamento em alta temperatura, onde a manutenção da integridade do barco wafer é crucial para garantir resultados de alta qualidade.
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Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado |
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Propriedade |
Valor típico |
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Temperatura de trabalho (°C) |
1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
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Conteúdo SiC |
> 99.96% |
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Conteúdo Si grátis |
< 0.1% |
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Densidade aparente |
2,60-2,70g/cm 3 |
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Porosidade aparente |
< 16% |
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Força de compressão |
> 600MPa |
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Resistência à flexão a frio |
80-90MPa (20°C) |
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Resistência à flexão a quente |
90-100MPa (1400°C) |
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Expansão térmica @1500°C |
4.70 10 -6 /°C |
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Condutividade térmica @1200°C |
23 W/m·K |
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Módulo elástico |
240 GPa |
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Resistência ao choque térmico |
Extremamente bom |