O cristal de niobato de lítio possui excelentes propriedades eletro-ópticas, acústico-ópticas, piezoelétricas e não lineares. O cristal de niobato de lítio é um importante cristal multifuncional com boas propriedades ópticas não lineares e um grande coeficiente óptico não linear; também pode obter correspondência de fase não crítica. Como cristal eletro-óptico, tem sido usado como um importante material de guia de ondas óptico; como um cristal piezoelétrico, pode ser usado para fazer filtros SAW de média e baixa frequência, transdutores ultrassônicos resistentes a altas temperaturas e alta potência, etc.
O Wafer de ligação LiNbO3 da Semicera foi projetado para atender às altas demandas da fabricação avançada de semicondutores. Com suas propriedades excepcionais, incluindo resistência superior ao desgaste, alta estabilidade térmica e excelente pureza, esse wafer é ideal para uso em aplicações que exigem precisão e desempenho duradouro.
Na indústria de semicondutores, os wafers de ligação LiNbO3 são comumente usados para unir camadas finas em dispositivos optoeletrônicos, sensores e CIs avançados. Eles são particularmente valorizados em fotônica e MEMS (sistemas microeletromecânicos) devido às suas excelentes propriedades dielétricas e capacidade de suportar condições operacionais adversas. O Wafer de ligação LiNbO3 da Semicera foi projetado para suportar colagem precisa de camadas, melhorando o desempenho geral e a confiabilidade de dispositivos semicondutores.
| Propriedades térmicas e elétricas do LiNbO3 | |
| Ponto de fusão | 1250 ℃ |
| Temperatura curie | 1140 ℃ |
| Condutividade térmica | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| Coeficiente de expansão térmica (@ 25°C) |
//uma,2,0×10 -6 /K //c,2,2×10 -6 /K |
| Resistividade | 2x10 -6 Ω·cm @ 200 ℃ |
| Constante dielétrica |
εS11/ε0=43,εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2 |
| Constante piezoelétrica |
D22=2,04×10 -11 C/N D33=19,22×10 -11 C/N |
| Coeficiente eletro-óptico |
TC33=32h/V, γS33=31h/V, TC31=22h/V, γS31=20h6/V, TC22=18h8/V, γS22=15h4/V, |
|
Tensão de meia onda, CC |
3,03 quilovolts 4,02 quilovolts |
Fabricado com materiais de alta qualidade, o Wafer de ligação LiNbO3 garante confiabilidade consistente mesmo sob condições extremas. Sua alta estabilidade térmica o torna particularmente adequado para ambientes que envolvem temperaturas elevadas, como aquelas encontradas em processos de epitaxia de semicondutores. Além disso, a alta pureza do wafer garante contaminação mínima, tornando-o uma escolha confiável para aplicações críticas de semicondutores.
Na Semicera, temos o compromisso de fornecer soluções líderes do setor. Nosso Wafer de ligação LiNbO3 oferece durabilidade incomparável e recursos de alto desempenho para aplicações que exigem alta pureza, resistência ao desgaste e estabilidade térmica. Seja para produção avançada de semicondutores ou outras tecnologias especializadas, este wafer serve como um componente essencial para a fabricação de dispositivos de ponta.
