Semiconductor Silicon based GaN epitaxy

Descrição do produto

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.

Principais características:

1. Resistência a oxidação de alta temperatura:

A resistência da oxidação ainda é muito boa quando a temperatura é tão alta quanto 1600 C.

2. High purity : made by chemical vapor deposition under high temperature chlorination condition.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácido, álcalis, sal e reagentes orgânicos.