Semicera’s SiC Ceramic Seal Part is designed for the semiconductor manufacturing industry, providing excellent sealing performance and durability. It uses high-quality Silicon Carbide (SiC) material, combined with Alumina (Al2O3) and Silicon Nitride (Si3N4), to ensure reliable performance in high temperature and harsh environments, and is widely used in wafer boats and wafer carriers.
Semicera’s self-developed SiC Ceramic Seal Part is designed to meet the high standards of modern semiconductor manufacturing. This sealing part uses high-performance silicon carbide (SiC) material with excellent wear resistance and chemical stability to ensure excellent sealing performance in extreme environments. Combined with aluminum oxide (Al2O3) and silicon nitride (Si3N4), this part performs well in high-temperature applications and can effectively prevent gas and liquid leakage.
When used in conjunction with equipment such as wafer boats and wafer carriers, Semicera’s SiC Ceramic Seal Part can significantly improve the efficiency and reliability of the overall system. Its superior temperature resistance and corrosion resistance make it an indispensable component in high-precision semiconductor manufacturing, ensuring stability and safety during the production process.
Além disso, o design dessa parte de vedação foi cuidadosamente otimizado para garantir a compatibilidade com uma variedade de equipamentos, facilitando o uso em diferentes linhas de produção. A equipe de P&D da Semicera continua trabalhando duro para promover a inovação tecnológica para garantir a competitividade de seus produtos no setor.
Choosing Semicera’s SiC Ceramic Seal Part, you will get a combination of high performance and reliability, helping you achieve more efficient production processes and excellent product quality. Semicera is always committed to providing customers with the best semiconductor solutions and services to promote the continuous development and progress of the industry.
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Susceptador de crescimento de epitaxia
As bolachas de carboneto de silício/silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/siC, na qual as bolachas de silício/SiC são transportadas em uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida de carboneto de Silicone da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também têm alta resistência química e estabilidade térmica.
Produção de chips LED
Durante o revestimento extenso do reator MOCVD, a base planetária ou transportadora move a bolacha do substrato. O desempenho do material base tem uma grande influência na qualidade do revestimento, o que, por sua vez, afeta a taxa de sucata do chip. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de bolachas LED de alta qualidade e minimiza o desvio do comprimento de onda. Também fornecemos componentes de grafite adicionais para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente tenha até 1,5 m, ainda podemos revestir com carboneto de silício.
Campo semicondutor, processo de difusão de oxidação, Etc.
No processo de semicondutores, o processo de expansão da oxidação requer alta pureza do produto e, na Semicera, oferecemos serviços de revestimento personalizados e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.
A figura a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processado em semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 1000-nível livre de poeira sala. Nossos trabalhadores estão trabalhando antes do revestimento. A pureza do nosso carboneto de silício pode atingir 99.99%, e a pureza do revestimento SiC é maior que 99.99995%.
